L,EDLED的特性1．极限参数的意义（1）允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的大值。超过此值，LED发热、损坏。（2）大正向直流电流IFm：允许加的大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。（3）大反向电压VRm：所允许加的大反向电压。超过此值，发光二极管可能被击穿损坏。（4）工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围，发光二极管将不能正常工作，效率大大降低。LEDLED发光原理发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（）、GaPGaAsP（）等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向?截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光。假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间附近）捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Ｅg有关，即λ≈1240/Eg（mm）式中Eg的单位为电子伏特（eV）。若能产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体材料的Eg应在3.26～1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管成本、价格很高，使用不普遍。LED温度升高会降低LED的发光效率温度影响LED光效的原因包括以下几个方面：(1)温度升高，电子与空穴的浓度会增加，禁速宽度会减小，电子迁移率减小。(2)温度升高，势阱中电子与空穴的辐射几率降低，造成非辐射复合(产生热量)，从而降低LED的内量子效率。(3)温度升高导致芯片的蓝光波峰向长波方向偏移，使芯片的发射波长和荧光粉的激发波长不匹配，也会造成白光LED外部光提取效率降低。四、温度对LED发光波长(光色)的影响LED的发光波长一肌可分成峰值波长与主波长。峰值波长即光强的波长，而主波长可由X、Y色度坐标决定，反映了人眼所感知的颜色。显然，结温所引致的LED发光波长的变化将直接造***眼对LED发光颜色的不同感受。对于一个LED器件，发光区材料的禁带宽度值直接决定了器件发光的波长和颜色。温度升高，材料的禁速宽度将减小，导致器件发光波长变长，颜色发生红移。五、温度对LED正向电压的影响正向电压是判定LED性能的一个重要参量，其大小取决于半导体材料的特性、芯片尺寸以及器件的成结与电极制作工艺。相对于20MA的正向电流通常InGaAlP?LED的正向电压在1.8-2.2V之间，InGaAlP?LED的正向电压处在3.0-3.5V之间)