测试参数：ICES集电极-发射极漏电流IGESF正向栅极漏电流IGESR反向栅极漏电流BVCES集电极-发射极击穿电压VGETH栅极-发射极阈值电压VCESAT集电极-发射极饱和电压ICON通态电极电流VGEON通态栅极电压VF二极管正向导通压降整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用。测试的IGBT参数包括：ICES（漏流）、BVCES（耐压）、IGESF（正向门极漏流）、IGESR（反向门极漏流）、VGETH（门槛电压／阈值）、VGEON（通态门极电压）、VCESAT（饱和压降）、ICON（通态集极漏流）、VF（二极管压降）、GFS（跨导）、rCE（导通电阻）等全直流参数,所有小电流指标保证1%重复测试精度,大电流指标保证2%以内重复测试精度。半导体元件全自动测试系统，可以元件在真正工作状态下的电流及电压，并测量重要参数的数据，再与原出厂指标比较，由此来判定元件的好坏或退化的百分比。每个电流模块，都具有***的供电系统，以便在测试时，提供内部电路及电池组充电之用；可选购外部高压模块，执行关闭状态参数测试如：各项崩溃电压与漏电流测量达2KV。3.1开通时间Ton测试原理框图图3-1开通时间测试原理框图其中：Vcc试验电压源±VGG栅极电压C1箝位电容Q1陪测器件（实际起作用的是器件中的续流二极管）L负载电感：100uH、200uH、500uH、1000uH自动切换IC集电极电流取样电流传感器DUT被测器件开通时间定义（见下图）：栅极触发信号第二个脉冲上升的10%到集电极电流IC上升到10%的时间间隔为开通延迟时间td（on），集电极电流IC上升的10%到90%的时间间隔即为电流上升时间tr，则ton=td（on）tr)