氧化锌（ZnO）是一致熔融化合物,熔点为1975℃。由于高温下氧化锌（ZnO）的挥发性很强，传统的提拉法等熔体生长工艺很难获得氧化锌（ZnO）晶体体单晶。目前,氧化锌（ZnO）晶体体单晶的生长方法主要有缓慢冷却法、水热法和气相生长法。氧化锌（ZnO）单晶是具有六方晶系纤锌矿型化合物的晶体结构的半导体，其可直接跃迁，禁带宽度(Eg3.37eV)大。此外，与其它半导体材料(GaN:21meV、ZnSe:20meV)相比，其激子结合能(ZnO:60meV)非常大，因此，可期待将其用作***的发光器件材料。氧化锌（ZnO）晶体主要性能参数：晶体结构：六方；晶格常数：a=3.252Ac=5.313A；密度：5.7（g/cm3）；硬度：4（mohs）；熔点：1975℃；热膨胀系数：6.5x10-6/℃//a3.7x10-6/℃//c；热容：0.125cal/g.m；热电常数：1200mv/k@300℃；热导：0.006cal/cm/k。采用化学气相法在加热温度为300~500℃下进行试验,加热温度对氧化锌（ZnO）晶体的外观形貌有很重要的影响。目前,生长氧化锌（ZnO）单晶体的方法有CvT、助熔剂法、溶液法和水热法。采用水热法已经生长出2~3英寸的ZnO晶体,这证明水热法是一种生长高质量、大尺寸ZnO单晶体的***有效的方法。基于氧化锌（ZnO）的紫外激光器的实现掀起了对于传统的纤锌矿结构的半导体氧化锌（ZnO）材料的新的研究热潮.氧化锌（ZnO）以其优良的综合性能将成为下一代光电子材料,因此对氧化锌（ZnO）单晶的研究有重要的理论和实践意义。)