脉冲激光沉积系统配置介绍想要了解更多脉冲激光沉积的相关内容，请及时关注沈阳鹏程真空技术有限责任公司网站。脉冲激光沉积系统配置：生长室，进样室可选水平、垂直两种靶台可选激光加热和辐射加热两种样品台可选，激光加热高的温度1200℃工艺气路可以任意搭配配备高压RHEED，工作气压可达100Pa可预留法兰，用于LEED，K-Cell,E-beam等其它可选项如臭氧发生器，离子源，掩膜系统等。脉冲激光沉积系统的特点有哪些？?超高真空不锈钢腔体?可集成热蒸发源或溅射源?可旋转的耐氧化基片加热台?流量计或针阀准确控制气体流量?标准真空计?干泵与分子泵?可选配不锈钢快速进样室?可选配基片-靶材距离自动控制系统?是金属氧化物、氮化物、碳化物、金属纳米薄膜、多层膜、超晶格的较佳设备以上就是为大家介绍的全部内容，希望对大家有所帮助。如果您想要了解更多脉冲激光沉积的知识，欢迎拨打图片上的***联系我们。脉冲激光沉积的自动化想要了解更多脉冲激光沉积的相关内容，请及时关注沈阳鹏程真空技术有限责任公司网站或拨打图片上的***电话。自动化装置：控制样品温度和旋转靶台的位置控制靶台旋转气体控制速率及厚度计算（利用QCM输出）激光束扫描（可选）激光束屏蔽控制自动泵抽和充气差分泵抽结构RHEED分析（可选）装载室压强监控（可选）)