感应耦合等离子体刻蚀的原理以下是创世威纳为您一起分享的内容，创世威纳***生产感应耦合等离子体刻蚀，欢迎新老客户莅临。感应耦合等离子体刻蚀法（InductivelyCoupledPla***aEtch，简称ICPE）是化学过程和物理过程共同作用的结果。它的基本原理是在真空低气压下，ICP射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈，以一定比例的混合刻蚀气体经耦合辉光放电，产生高密度的等离子体，在下电极的RF射频作用下，这些等离子体对基片表面进行轰击，基片图形区域的半导体材料的化学键被打断，与刻蚀气体生成挥发性物质，以气体形式脱离基片，从真空管路被抽走。感应耦合等离子体刻蚀机的结构一预真空室预真空室的作用是确保刻蚀腔内维持在设定的真空度，不受外界环境（如：粉尘、水汽）的影响，将***性气体与洁净厂房隔离开来。它由盖板、机械手、传动机构、隔离门等组成。以上就是为大家介绍的全部内容，希望对大家有所帮助。如果您想要了解更多感应耦合等离子体刻蚀的知识，欢迎拨打图片上的***联系我们。等离子刻蚀工艺高密度等离子体源在刻蚀工艺上具有许多优势，例如，可以更准确地控制工作尺寸，刻蚀速率更高，更好的材料选择性。高密度等离子体源可以在低压下工作，从而减弱鞘层振荡现象。使用高密度等离子体源刻蚀晶片时，为了使能量和离子通量彼此***，需要采用***射频源对晶圆施加偏压。因为典型的离子能量在几个电子伏特量级，在离子进入负鞘层后，其能量经加速将达到上百电子伏特，并具有高度指向性，从而赋予离子刻蚀的各向异性。如需了解更多感应耦合等离子体刻蚀的相关内容，欢迎拨打图片上的***电话！)