（2）主要技术参数1）基本参数功率源：5000V1200A2）栅极-发射极漏电流IGESIGES：0.1-10uA±2%±0.01uA集电极电压VCE：0V栅极电压Vge：0-40V±3%±0.1V3）集电极-发射极电压集电极电压VCES：100-5000V±2%±10V集电极电流ICES：0.1-5mA±3%±0.01mA栅极电压Vge：0V4）集电极-发射极饱和电压VCESatVCESat：0.2-5V栅极电压Vge：±15V±2%±0.2V集电极电流ICE：10-1200A±2%±1A5）集电极-发射极截止电流ICES集电极电压VCE：100-5000V±3%集电极电流ICES：0.1-5mA±3%±0.01mA栅极电压VGE：0V6）栅极-发射极阈值电压VGEth：1-10V±2%±0.1VVce：12V集电极电流ICE：30mA±3%7）二极管压降测试VF：0-5V±2%±0.01VIF：0-1200A±2%±1AVge：0V安全工作区测试负载电感?电感量1mH、10mH、50mH、100mH?电流通过选择不同档位电感，满足0~200A电流输出需求（10ms）?瞬态电压大于10kV?负载电感配备自动切换开关，可分别接通不同电感值，由计算机控制自动接通；自动切换开关参数性能需求与电感要求相匹配。5）补充充电回路限流电感限制充电回路中的di/dt。?电感量100μH?电流能力6000A（5ms）?瞬时耐压10kV?工作温度室温～40℃?工作湿度产品主要有电力半导体器件、组件、模块（包括IGBT器件、新型SiC器件、功率晶闸管及功率整流管等）的检测及可靠性设备，电气自动化设备，电冶、电化学装置，电力半导体变流装置及各种高、中、低频感应加热电源、感应加热炉，晶闸管高压阀组、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驱动器、远距离光电转换软件控制系统、光电脉冲触发板、IGBT的智能高压驱动板等。)