计中牵扯到2个主要参数（LAB、K），需同时满足目标值，所以将LAB进行优化设定，而K值通过sweep生成多个拓扑结构进行选取。（1）先将‘turns’设置为3，直接，看看默认这些物理参数条件下LAB大概是多少，结果尽量在目标值1.5nH左右，方便后续优化sweep迭代。（2）对LAB进行优化，选‘OuterRadius’进行调整，目标值1.5n，频率点就默认的即可。（反正看的是全频段结果，在高频时应该感值会增加）（3）Sweep设置，为了得到较多的物理拓扑结构，选择2个物理尺寸进行扫描（线宽w和线间距S），将‘Width’和‘Spacing’设置为变量w、s后，点击‘OK’，会弹出变量设置对话框。设置s、w的起止尺寸和点数（注意不要违反DRCrule）。本例中w设置6个点，s设置5个点，这样会有30个拓扑结构，那么K值选择范围会大些。（4）类型自行选择，本例为了快速，选择的低精度‘interconnect’。也仅生成nport模型，没有勾选集总PBM模型。1)封装层进行器件综合时，由于金属层很厚，高频趋肤效应导致金属电流边沿分布。Peakview提供多电流层剖分（multi-sheetcurrent），设计中可根据金属厚度，工作频率进行金属电流多层剖分，提升仿精度；2)支持多文件格式（如：Pcircuitfile、ODB、GDSIIfile）的导入、导出，方便不同格式来源的封装版图导入；3)提供版图合并功能，软件导入芯片版图和封装版图后，可完成多个***版图按需合并，对合并后的版图进行联合仿。在合并时，可以对版图进行旋转、坐标偏移设置，方便设计人员按照实际电路进行调整。T-coil是双端口桥式-T网络的一种特例。它有两个互相耦合的电感（两个电感常常对称设计），和一个桥接电容组成，设计中还要考虑两个电感的耦合因子、线上插损等因素。当某个负载加到T-coil电路时，从节点1或2处看到的阻抗比较特殊；以及这两个节点到节点3（一般连接负载电容的）的传输函数（Vout/Vin）特性也比较有研究价值。以一个共源级mos为例来讲，其输出的负载电容为CL。当高频时，CL容抗很小，M1的小信号漏流被CL基本拉到地，导致输出电压Vout降低，增益在要求宽频范围内平坦度较差，导致较低的工作带宽。解决思路一：可以给负载电阻RD串联一个LD（inductivepeaking方案），如下图（b），电感的感抗会随频率增加，那么总的串联阻抗（RDjwL）会随频率增加，这样会在频率提升过程中，迫使大量电流流经CL，实现增益宽度一致性（增益大小会有所降低），是一种提升工作带宽方法。解决思路二：可以在输出的信号路径中插入一个T-coil，如下图（c），下来可以分析在这种情况下，传递函数（Vout/Vin）是个啥情况。电磁场收发-欧普兰由北京欧普兰科技有限公司提供。北京欧普兰科技有限公司（）是北京海淀区,软件代理的企业，多年来，公司贯彻执行科学管理、创新发展、诚实守信的方针，满足客户需求。在欧普兰***携全体员工热情欢迎各界人士垂询洽谈，共创欧普兰更加美好的未来。)