光电探测器的发展历史与两大分类光电探测器是指一类当有辐射照射在表面时，性质会发生各种变化的材料。光电探测器能把辐射信号转换为电信号。辐射信号所携带的信息有：光强分布、温度分布、光谱能量分布、辐射通量等，其进过电子线路处理后可供分析、记录、储存和显示，可见光光电探测器报价，从而进行探测。826年，热电偶探测器→1880，光电探测器报价，金属薄膜测辐射计→1946，热敏电阻→20世纪50年代，热释电探测器→20世纪60年代，三元合金光探测器→20世纪70年代，光子牵引探测器→20世纪80年代，量子阱探测器→近年来，阵列光电探测器、电荷耦合器件(CCD)这个被誉为“现代火眼金睛”的光电探测材料无论在经济、生活还是军事方面，都有着不可或缺的作用。由于器件对辐射响应的方式不一样，以此可将光电探测器分为两大类，分别是光子探测器和热探测器。1光子探测器：光子，是光的小能量量子。单光子探测技术，是近些年刚刚起步的一种新式光电探测技术，其原理是利用新式光电效应，可对入射的单个光子进行计数，以实现对极微弱目标信号的探测。光子计数也就是光电子计数，是微弱光(低于10-14W)信号探测中的一种新技术。2利用光热效应制作的元件叫做热探测器，同时也叫热电探测器。(光热效应指的是当材料受光照射后，光子能量会同晶格相互作用，振动变得剧烈，温度逐渐升高，由于温度的变化，而逐渐造成物质的电学特性变化)。光电探测器工作原理光电探测器的基本工作机理包括三个过程：(1)光生载流子在光照下产生;(2)载流子扩散或漂移形成电流;(3)光电流在放大电路中放大并转换为电压信号。当探测器表面有光照射时，如果材料禁带宽度小于入射光光子的能量即Eglt;hv，则价带电子可以跃迁到导带形成光电流。当光在半导体中传输时，光波的能量随着传播会逐渐衰减，其原因是光子在半导体中产生了吸收。半导体对光子的吸收的吸收为本征吸收，本征吸收分为直接跃迁和间接跃迁。通过测试半导体的本征吸收光谱除了可以得到半导体的禁带宽度等信息外，还可以用来分辨直接带隙半导体和间接带隙半导体。本征吸收导致材料的吸收系数通常比较高，由于半导体的能带结构所以半导体具有连续的吸收谱。从吸收谱可以看出，当本征吸收开始时，半导体的吸收谱有一明显的吸收边。但是对于硅材料，多通道光电探测器报价，由于其是间接带隙材料，200mhz光电探测器报价，与三五族材料相比跃迁几率较低，因而只有非常小的吸收系数，同时导致在相同能量的光子照射下在硅材料中的光的吸收深度更大。直接带隙材料的吸收边比间接带隙材料陡峭很多，如图画出了几种常用半导体材料(如GaAs、InP、InAs、Si、Ge、GaP等材料)的入射光波长和光吸收系数、渗透深度的关系。光电探测器的分类以下内容由康冠世纪为您提供，今天我们来分享光电探测器的相关内容，希望对同行业的朋友有所帮助！光电探测器分为光电二极管、雪崩光电管、四象限探测器、位敏探测器、波长感应探测器。1.光电二极管（PIN）：应用于一般通用场合。针对特殊应用，可以增加探测器信号放大和探测器前置滤光片。2.雪崩光电管（APD）：主要用于微弱信号场合，同时具备快速响应能力，可以提供各种尺寸和封装类型。3.四象限探测器（Quadrant）：主要应用于位置传感。4.位敏探测器（PSD）：入射光能量转换为位置相对的连续电流输出，位置信号是相对于入射光的“光学中心”。5.波长敏感探测器（WS）：用于检测单色光波长或复合光的峰值波长，光谱分辨率可达0.01nm。应用范围：安全防护，激光测距，工业控制，分析仪器，光通讯。光电探测器报价-康冠世纪(推荐商家)由北京康冠世纪光电科技有限公司提供。北京康冠世纪光电科技有限公司（nquer-oc.com）有实力，信誉好，在北京海淀区的工业制品等行业积累了大批忠诚的客户。公司精益求精的工作态度和不断的完善创新理念将促进康冠世纪和您携手步入辉煌，共创美好未来！)