在负载RL中有电流流过，其电流大小取决于光电靶在该单元的电阻值大小。如果入射光强度太高，导致器件内电流太大，以至于电阴极和倍增极因发射二分解，就会造成光电倍增管的永1久性波坏。光照强处对应阻值较小，流过负载RL的电流就较大，因而RL两端产生的压降也就较大。负载电阻RL上形成电压就是摄像管输出的图像信号。光电转换过程（图像的摄取过程）：被摄景物通过摄像机的光学镜头在光电靶上成像，被电子束将这幅图像分解为像素，同时把各个像素的亮度转变为在负载电阻RL上大小不同的电压降，从而形成摄像管输出信号。传感器技术中很重要的一类称为光传感器。二、光伏打器件----硅光电池半导体PN结在受到光照射时能产生电动势的效应，叫光伏打效应。光传感器通常是指紫外到红外波长范围的传感器，其类型可分为量子探测器和热探测器两类。本实验将介绍常用的量子探测器或称光子探测器，它是利用材料的光电效应制作成的探测器，故也称为光电转换器。其主要参数有响应度(灵敏度)、光谱响应范围、响应时间和可探测的***1小辐射功率等。光电转换器件主要是利用光电效应将光信号转换成电信号。自光电效应发现至今，光电转换器件获得了突飞猛进的发展，目前各种光电转换器件已广泛地应用在各行各业。应用随着传统燃料能源的减少以及对环境造成的危害也越来越严重,能源问题日益成为制约国际社会经济发展的瓶颈，越来越多的***制定了大力发展太阳能的计划。在负载RL中有电流流过，其电流大小取决于光电靶在该单元的电阻值大小。例如，美国的“光伏建筑计划”、欧洲的“百万屋顶光伏计划”，日本的“朝日计划”，以及我国发展的“光明工程”等都极大地促进了太阳能的发展。当前太阳能电池产品类型主要有单晶硅、多晶硅、非晶硅、化合物半导体和叠层太阳能电池等，主要应用在以下领域。)