化学抛光是在不供电情况下产生抛光效果，其抛光原理与利用电流作用的电解抛光在本质上没有太大差别。化学抛光效果一般要比电解抛光效果差，在化学抛光中，由于材料的质量不均匀，会引起局部电位高低不一，产生局部阴阳极区，形成局部短路的微电池，使阳极发生局部溶解。而在电解抛光中由于外加电位的作用可以完全消除这种局部的阴极区，进行的电解，因此效果更好。阳极氧化铝板化学抛光中出现的缺陷及其纠正措施是在生产的发展过程中不断总结完善的。光亮度不足。这是化学抛光中较关心的事情。光亮度没有达到预期的目标，其原因可从特殊铝材的生产工艺和化学抛光工艺这两方面分析。有关特殊铝材的生产工艺已经有详细的论述。建议采用铝纯度99.70%及其以上级别的铝锭，来生产特殊铝材；铝材加工工艺中质量控制为化学抛光得到高光亮度表面奠定基础。化学抛光后，具有很高的光亮度。槽液控制中含量不足，会使表面光亮度不足，其表面可能过多地附着一层铜；含量太高，铝材表面形成彩虹膜，会使表面模糊或不透明，还引起光亮度不足；化学抛光时间不足，温度不够，搅拌不充分，槽液老化等也会使化学抛光表面光亮度不足。槽液的相对密度较大，防止铝材浮出抛光槽液的液面，致使上部铝材光亮度不足。水的影响造成光亮度不足，往往容易被忽视。较好用干燥的铝材进入化学抛光槽液，杜绝水分的带入。金属的化学抛光,常用、磷酸、***、盐酸等酸性溶液抛光铝、铝合金、钥、钥合金，碳钢及不锈钢等。有时还加人明胶或甘油之类。抛光时必须严格控制溶液温度和时间。温室从室温到90℃，时间自数秒到数分钟，要根据材料、溶液成分经实验后才能确定值。半导体材料的化学抛光，如锗和硅等半导体基片在机械研磨平整后，还要终用化学抛光去除表面杂质和变质层。常用和、***混合溶液或和氢氧化铵的水溶液。)