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刻蚀工艺过程以下内容由创世威纳为您提供,今天我们来分享刻蚀工艺过程的相关内容,希望对同行业的朋友有所帮助!等离子体刻蚀工艺包括以下六个步骤。分离:气体由等离子体分离为可化学反应的元素;扩散:这些元素扩散并吸附到硅片表面;表面扩散:到达表面后,四处移动;反应:与硅片表面的膜发生反应;解吸:反应的生成物解吸,离开硅片表面;排放:排放出反应腔。离子束刻蚀离子束刻蚀是利用具有一定能量的离子轰击材料表面,使材料原子发生溅射,从而达到刻蚀目的.把Ar、Kr或Xe之类惰性气体充入离子源放电室并使其电离形成等离子体,然后由栅极将离子呈束状引出并加速,具有一定能量的离子束进入工作室,射向固体表面撞击固体表面原子,使材料原子发生溅射,达到刻蚀目的,属纯物理过程。离子束加工(mM)利用具有较高能量的离子束射到材料表面时所发生的撞击效应、溅射效应和注入效应来进行不同的加工。由于离子束轰击材料是逐层去除原子,所以可以达到纳米级的加工精度。离子束加工按其工艺原理和目的的不同可以分为三种:用于从工件上去除材料的刻蚀加工、用于给工件表面涂覆的镀层加工以及用于表面改性的离子注入加工。由于电子束和离子束易于实现准确的控制,所以可以实现加工过程的全自动化,但是电子束和离子束的聚焦、偏转等方面还有许多技术问题尚待解决)
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