●对于偏小磁芯变压器的设计：主要有磁芯Ae面积偏小的问题，将会带来初级圈数偏多的现象。可以适当提高工作频率，本案例工作频率在70KHz-75KHz。由于圈数偏多初次级的耦合将会更有利。所以VCC绕组电压在短路瞬间会上冲到比较高的状态，本案例原理图上有可控硅做过压保护功能。而后因为次级绕组的短路耦合到VCC绕组使其电压降低到IC不能启动这个过程是可以实现的。●要做到以上特性：VCC绕组线径必须要小，我个人一般取0.17mm以下，小于0.12会很容易断。这样小的线径谈不上节约铜材，但是可以利用铜线的阻抗来代替很多设计人员习惯在VCC整流二极管上串联小阻值电阻的功能，而且这个利用线圈本身的阻抗对交流的***能力在本案例当中更有效，可以防止瞬间冲击而损坏后级电路的***。而在电路未启动之前，由于高压端启动电阻的充电，可以将VCC上电容上的电压充到IC启动的电压，一旦电路有问题一下启动不了VCC由于绕组电压的预设值偏低。电路也是不会启动的，一般表现为嗝状态。●为何要按照IC的工作电压低端取值？因为我们次级绕组是与初级绕组相邻绕制的，耦合效果相对而言是的。我们做短路试验也是做次级的输出短路，因为耦合效果好，次级短路时VCC在经过短暂的上冲后会快速降低，降到IC的关闭电压时电路得到的保护。需要注意这个电压需要高于MOSFET饱和导通1V以上，避免驱动不足。图一b（230Vac）图一b可以看到，输入电压在230Vac测试时，65M和83M位置有点顶线（红色线）图一b-1（230Vac）原边吸收电容由471P加大到102P，65M位置压下来一点，后面还是有点高，如图一b-1所示；图一b-2（230Vac）变压器屏蔽改成线屏蔽（0.2*1*30Ts）,后面完全衰减，如图一b-2；图一b-3（115Vac）115Vac输入测试，后面150M又超了，发克！高压好了低压又不行，恼火啊！看来这招不行；图一b-4（115Vac）变压器屏蔽还是换成铜箔屏蔽（圈数由0.9Ts改成1.3Ts），效果不错，如图一b-4所示。图一b-5（230Vac）115Vac输入测试，测试通过。结论：一：变压器出线需做到不交叉；二：Y电容回路走线越短越好先经过变压器地再回到大电容地，不与其它信号线交叉；)