特点及用途：PECVD是借助于辉光放电等方法产生等离子体，辉光放电等离子体中：电子密度高109-1012cm3电子气体温度比普通气体分子温度高出10-100倍，使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。通过反应气态放电，有效地利用了非平衡等离子体的反应特征，从根本上改变了反应体系的能量供给方式,低温热等离子体化学气相沉积法具有气相法的所有优点，工艺流程简单。配有前端预加热炉，辅助固态源蒸发，后端为单温区加热炉，温度控制***，操作简便，对于气相沉积，二维材料，等离子处理生长工艺非常合适，也同样适用于要求快速升降温的CVD实验。1.与传统CVD系统比较，生长温度更低。2.使用滑轨炉实现快速升温和降温。3.设备特有的专利技术使得整管辉光均匀等效，均匀生长1.加热系统***高温度1200℃使用温度≤1100℃炉膛有效尺寸Φ50mm（炉管直径可根据实际需要定制）炉膛材料氧化铝、高温纤维制品热电偶类型K型热电偶控温精度&plu***n;1℃控温方式30段可编程控温，PID参数自整定加热长度200+200mm恒温长度100+100mm加热原件电阻丝供电电源单相，220V，50Hz2、预热系统系统***高温度400℃炉膛有效尺寸Φ50mm（炉管直径可根据实际需要定制）炉膛材料氧化铝、高温纤维制品热电偶类型K型热电偶控温精度&plu***n;1℃控温方式30段可编程控温，PID参数自整定加热长度100mm加热原件电阻丝额定功率800W3、PE系统功率输出范围0W~500W***大反射功率100W射频输出接口50Ω,N-type,female功率稳定度≤5W谐波分量≤-50dbc供电电压单相交流（187V-253V）频率50/60HZ整机效率>=70%功率因素>=90%冷却方式强制风冷4、三路质子流量控制系统连接头类型双卡套不锈钢接头标准量程（N2)50sccm，100sccm、500sccm（可根据用户要求定制）准确度&plu***n;1.5%F.S线性&plu***n;1%F.S重复精度&plu***n;0.2%F.S响应时间气特性：1～4Sec，电特性：10Sec工作压差范围0.1～0.5MPa***大压力3MPa接口Φ6,1/4''显示4位数字显示工作环境温度5~45高纯气体压力真空表－0.1～0.15MPa,0.01MPa/格截止阀Φ6内外双抛不锈钢管Φ65、低真空机组空气相对湿度≤85%工作环境5℃～40℃工作电电压280V抽气速率32m³/h极限真空5X10-1Pa（空载冷态）工作压力范围1.01325X105～1.33X10-2Pa耐压值0.03MPa进气口口径KF40排气口口径KF40连接方式采用波纹管，手动挡板阀与波纹管相连)