光电探测器光电导类型光电导类型包括使用本征半导体的本征光电导电池和使用杂质半导体的杂质光电导电池。本征光电导电池包括用于可见光区域的CdS电池，用于近红外区域的PbS和InSb电池以及用于中红外区域的HgCdTe电池。作为杂质光电导电池，在红外区域中广泛使用以Ge为基础并添加诸如Au，Hg，Cu，Zn和Be的杂质的电池。由于它们的电离电压为0.16至0.02eV，因此必须进行冷却以避免热激发。光电探测器半导体光电探测器是利用半导体材料的光电效应来接收和探测光信号的器件，它通过吸收光子产生电子-空穴对，从而在外电路产生与入射光强度成正比的光电流以方便测量入射光。半导体光电探测器又分为光导型和光伏型。光导型是根据光电导效应制成，即当光入射到半导体材料后，能改变其导电性能,且随着光强的增加，其导电性能增强。该类型的主要器件有光敏电阻。光伏型是根据光生伏应制成，即当光照射PN结时，会使PN结两端产生电势差。该类型的主要器件为光敏二极管、光敦晶体管等。红外感应开关是一种比较常见的光电探测器，它通过感应身体发出的红外光，来实现对电路的开关。例如用于红外感应灯，当有人靠近时，开关就会打开，电路开通，灯就会点亮;当人离开时，开关就会关断，电路断路，灯就会熄灭，从而实现自动感应的功能。半导体光电探测器由于体积小，重量轻，响应速度快，灵敏度高，易于与其它半导体器件集成，是光源的探测器，可广泛用于光通信、信号处理、传感系统和测量系统。例如，光电探测器是光纤通信接收端的核心器件，它接收光信号并转换将其为电信号。又例如，GaAs基量子阱红外探测器是一种新型的红外探测器，可用在红外焦平面阵列成像技术中，这在防御以及重要新型系统中起着重要作用(如监视、跟踪、识别、制导等)，其成像质量优于传统的碲镉探测器。光电探测器的发展历史与两大分类光电探测器是指一类当有辐射照射在表面时，性质会发生各种变化的材料。光电探测器能把辐射信号转换为电信号。辐射信号所携带的信息有：光强分布、温度分布、光谱能量分布、辐射通量等，其进过电子线路处理后可供分析、记录、储存和显示，从而进行探测。826年，热电偶探测器→1880，金属薄膜测辐射计→1946，热敏电阻→20世纪50年代，热释电探测器→20世纪60年代，三元合金光探测器→20世纪70年代，光子牵引探测器→20世纪80年代，量子阱探测器→近年来，阵列光电探测器、电荷耦合器件(CCD)这个被誉为“现代火眼金睛”的光电探测材料无论在经济、生活还是军事方面，都有着不可或缺的作用。由于器件对辐射响应的方式不一样，以此可将光电探测器分为两大类，分别是光子探测器和热探测器。1光子探测器：光子，是光的小能量量子。单光子探测技术，是近些年刚刚起步的一种新式光电探测技术，其原理是利用新式光电效应，可对入射的单个光子进行计数，以实现对极微弱目标信号的探测。光子计数也就是光电子计数，是微弱光(低于10-14W)信号探测中的一种新技术。2利用光热效应制作的元件叫做热探测器，同时也叫热电探测器。(光热效应指的是当材料受光照射后，光子能量会同晶格相互作用，振动变得剧烈，温度逐渐升高，由于温度的变化，而逐渐造成物质的电学特性变化)。)