金属表面处理是选用金属材料做为罩壳或底座，集成ic立即或根据基板安裝在外壳或底座上，导线越过金属材料罩壳或底座大多数选用夹层玻璃—金属材料封接技术性的一种电子器件封装方式。它普遍用以混和电源电路的封装，主要是和订制的专用型气密性封装，在很多行业，尤其是在及航天航空行业获得了普遍的运用。因此用碳纤维(高纯石墨化学纤维)提高的铜基高分子材料在高功率主要用途很有力。与铜复合型的原材料沿碳纤维长短方位CTE为-0．5×10-6K-1，热导率600-750W(m-1K-1)，而垂直平分碳纤维长短方位的CTE为8×10-6K-1,热导率为51-59W(m-1K-1)，比沿纤维长度方位的热导率少低一个量级。以便降低瓷器基板上的地应力，设计师可以用好多个较小的基板来替代单一的大基板，分离走线。淬火的全铜因为物理性能差，非常少应用。冷作硬化的全铜尽管有较高的抗拉强度，但在外壳生产制造或密封性时不高的溫度便会使它淬火变软，在开展机械设备冲击性或稳定瞬时速度实验时导致外壳底端形变。金属表面处理及其局限性芯片材料如Si、GaAs以及陶瓷基板材料如A12O3、BeO、AIN等的热膨胀系数(CTE)介于3×10-6-7×10-6K-1之间。金属封装材料为实现对芯片支撑、电连接、热耗散、机械和环境的保护，应具备以下的要求：①与芯片或陶瓷基板匹配的低热膨胀系数,减少或避免热应力的产生；国内外都有Al2O3弥散强化无氧高导铜产品，如美国SCM金属制品公司的Glidcop含有99．7％的铜和0．3％弥散分布的Al2O3。加入Al2O3后，热导率稍有减少，为365W(m-1K-1)，电阻率略有增加，为1．85μΩ·cm，但屈服强度得到明显增加。可伐可伐合金(Fe-29Ni-17Co，中国牌号4J29)的CTE与Si、GaAs以及Al2O3、BeO、AIN的CTE较为接近，具有良好的焊接性、加工性，能与硼硅硬玻璃匹配封接，在低功率密度的金属封装中得到广泛的使用。但由于其热导率低，电阻率高，密度也较大，使其广泛应用受到了很大限制。金属表面处理压铸成型工艺：全压铸的工艺和塑料制品的生产流程十分相似，都是利用精密模具进行加工，只是材质由塑料改成了融化的金属；CNC与压铸结合工艺；铝挤、DDG、粗铣内接着将铝合金板铣成手机机身需要的尺寸，方便CNC精密加工，接着是粗铣内腔，将内腔以及夹具***的柱加工好，起到精密加工的固定作用。国内外已广泛生产并用在大功率微波管、大功率激光二极管和一些大功率集成电路模块上。由于Cu-Mo和Cu-W之间不相溶或浸润性极差，况且二者的熔点相差很大，给材料制备带来了一些问题；如果制备的Cu／W及Cu／Mo致密程度不高，则气密性得不到保证，影响封装性能。另一个缺点是由于W的百分含量高而导致Cu／W密度太大，增加了封装重量。)