电池片的制作工艺振鑫焱光伏科技有限公司常年采购：高价回收硅片，电池片，初级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳能电池，光伏组件，太阳能电池板，客户撤退，降级，库存，El，不良测试，二手，旧，工程，拆卸，路灯，拆解电站，拆卸，胶合板，层压板，无边界晶体硅，多晶硅，单晶硅，实验板，***偿还，返工，光伏模块回收等。PECVDPE目的在硅片表面沉积一层氮化硅减反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，减少反射，氢原子搀杂在氮化硅中附加了氢的钝化作用。其化学反应可以简单写成：SiH4NH3=SiN:H3H2。基本原理PECVD技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。PECVD方法区别于其它CVD方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需的***能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程，生成活性很高的各种化学基团，因而显著降低CVD薄膜沉积的温度范围，使得原来需要在高温下才能进行的CVD过程得以在低温下实现。基本特征1.薄膜沉积工艺的低温化（lt;450℃）。2.节省能源，降低成本。3.提高产能。4.减少了高温导致的硅片中少子寿命衰减。扩散方式PE设备有两类：平板式和管式。按反应方式分为：直接式（岛津）和间接式（Roth＆Rau）。直接式：基片位于一个电极上，直接接触等离子体。间接式：基片不接触激发电极。在微波激发等离子的设备里，等离子产生在反应腔之外，然后由石英管导入反应腔中。在这种设备里微波只激发NH3，而SiH4直接进入反应腔。间接PECVD的沉积速率比直接的要高很多，这对大规模生产尤其重要。影响因素1．频率射频PECVD系统大都采用50kHz~13.56MHz的工业频段射频电源。较高频率（gt;4MHz）沉积的氮化硅薄膜具有更好的钝化效果和稳定性。2．射频功率增加RF功率通常会改善SiN膜的质量。但是，功率密度不宜过大，超过1W/cm2时器件会造成严重的射频损伤。3．衬底温度PECVD膜的沉积温度一般为250～400℃。这样能保证氮化硅薄膜在HF中有足够低的腐蚀速率，并有较低的本征压力，从而有良好的热稳定性和抗裂能力。低于200℃下沉积的氮化硅膜，本征应力很大且为张应力，而温度高于450℃时膜容易龟裂。4．气体流量影响氮化硅膜沉积速率的主要气体是SiH4。为了防止富硅膜，选择NH3/SiH4=2~20（体积比）。气体总流量直接影响沉积的均匀性。为了防止反应区下游反应气体因耗尽而降低沉积速率，通常采用较大的气体总流量，以保证沉积的均匀性。5．反应气体浓度SiH4的百分比浓度及SiH4/NH3流量比，对沉积速率、氮化硅膜的组分及***性质均有重大影响。理想Si3N4的Si/N＝0.75，而PECVD沉积的氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化，但多为富硅膜，可写成SiN。因此，必须控制气体中的SiH4浓度，不宜过高，并采用较高的SiN比。除了Si和N外，PECVD的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，即SixNyHZ或SiNx:H。6．反应压力、和反应室尺寸等都是影响氮化硅薄膜的性能工艺参数。多晶硅太阳能电池片振鑫焱光伏科技有限公司常年采购：高价回收硅片，电池片，初级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳能电池，光伏组件，太阳能电池板，客户撤退，降级，库存，El，不良测试，二手，旧工程，拆卸，路灯，拆解电站，拆卸，胶合板，层压板，无边界晶体硅，多晶硅，单晶硅，实验板，***偿还，返工，光伏模块回收等。多晶硅太阳能电池片我们的产品依据严格的外观标准分类；我们的效率分选含有两步：首先，我们按效率分档；其次，在同一档位内，我们再依照工作电流做二次分档；窄的工作电流分档确保了电池片电性的均匀性，避免了和组件的失配问题；通过对并阻的全检，减少了组件产品的热斑效应，同时可以得到很好的弱光响应；我们的校准片来自ISE实验室，同时我们对检测系统进行严格的GRR测试，这就确保了我们效率的精准性。为了进一步保证产品的稳定性和可依赖性，我们生产现场执行持续系统的质量改善管理系统和严格的数据控制系统。太阳能电池片特性光电转换效率高，可靠性高。独特的扩散技术，保证扩散的均匀性。***的PECVD成膜技术，给电池表面镀上深蓝色的氮化硅减反射膜，颜色均匀美观。应用高品质的金属浆料制作背场和电极，确保良好的导电性、可靠的附着力和很好的电极可焊性。高精度的丝网印刷和高平整度，使得电池易于自动焊接和激光切割。)