现今PowerMOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT（绝缘栅型场效应晶体管）已成为大功率元件的主流，在市场上居于主导地位。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及之要求,带动MOSFET及IGBT的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换....等领域，使半导体开发技术人员在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续在突破。9、系统保护功能9.1有完备的安全控制单元，动态测试设备有传感器来保证操作者安全，设备任何门被打开均能快速切断高压电源。9.2有急停按钮，当急停按钮被按下时，迅速切断所有高压电源。9.3系统带有短路保护功能，在过载时迅速断开高压高电流。9.4操作系统带有多级权限。9.5系统应配有内置ups，保证计算机系统在电网短时间掉电情况下，为系统供电0.5小时以上，确保系统及数据安全。10、样品夹具10.1有通用测试夹具。10.2带有62mm封装专用测试夹具10.3带有EconoPACK3封装专用测试夹具10.4带有34mm封装专用测试夹具8）高压大功率开关?电流能力200A?隔离耐压10kV?响应时间150ms?脉冲电流20kA（不小于10ms）?工作方式气动控制?工作气压0.4MPa?工作温度室温～40℃?工作湿度9）尖峰***电容用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。?电容容量200μF?分布电感小于10nH?脉冲电流200A?工作湿度)