光电探测器的概述??光电探测器在光通信系统中实现将光转变成电的作用，这主要是基于半导体材料的光生伏应，所谓的光生伏应是指光照使不均匀半导体或半导体与金属结合的不同部位之间产生电位差的现象。(光电导效应是指在光线作用下，电子吸收光子能量从键合状态过度到自由状态，而引起材料电导率的变化的象。即当光照射到光电导体上时，若这个光电导体为本征半导体材料，且光辐射能量又足够强，光电材料价带上的电子将被激发到导带上去，使光导体的电导率变大是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象，光子作用于光电导材料，形成本征吸收或杂质吸收，产生附加的光生载流子，从而使半导体的电导率发生变化，产生光电导效应。光电探测器的发展历史起初用来探测可见光辐射和红外辐射的光电探测器是热探测器。其中，热电偶早在1826年就已发明出来。1880年又发明了金属薄膜测辐射计。1947年制成了金属氧化物热敏电阻测辐射热计。1947年又发明了气动探测器。经过多年的改进和发展，这些光电探测器日趋完善，性能也有了较大的改进和提高。从20世纪50年代的时候开始人们对热释电探测器进行了一系列研究工作，发现它具有许多独特的优点，一度使这个领域研究很活跃。但是，与光子探测器相比，这些光电探测器的探测率仍较低，时间常数也较大。应用广泛的光子探测器，除了发展较早、技术上也较成熟、响应波长从紫光到近红外的光电倍增管以外，硅和锗材料制作的光电二极管、铅锡、Ⅲ～Ⅴ族化合物、锗掺杂等光电探测器，目前均已达到相当成熟的阶段，主要性能已接近理论极限。1970年以后又出现了一种利用光子牵引效应制成的光子牵引探测器。其主要用于CO2激光的探测。八十年代中期，出现了利用掺杂的GaAs/AlGaAs材料、基于导带跃迁的新型光探测器——量子阱探测器。这种器件工作于8～12μm波段，工作温度为77K。红外光电探测器的发展20世纪，红外光电探测器首先受到军事部门的关注，它实现了黑暗中的目标探测、保密通讯等。的红外光电探测器采用点源探测技术，该方法将目标看作一个热点源，以此来探测、锁定并目标。由于获得的特***息量十分有限，且非常容易受到各类红外、激光等干扰，因此单元探测基本不具备目标识别的能力。随着计算机技术、光电子技术等发展，光电对抗越来越强烈，简单的点源式探测技术面临重大挑战，逐渐发展为多元探测技术，可以获取较丰富的目标信息。20世纪80年代研发的多元红外光电探测器面阵凝视成像系统探测元数量达到103～106量级，可以直接置于红外物镜的焦平面上，实现所谓的大角度“凝视”，电子脉冲代替了光学机械扫描体制。系统灵敏度可提高两个量级且可同时处理多个目标，体积缩小、重量减轻、响应更快、可靠性提高，在军事上有更突出的适用性。目前，红外光电探测器正朝着中波红外、长波红外双波段甚至多波段方向发展。红外光电探测器将具备像素更高、帧速率更快、热分辨率更强、多色化和智能化等特征。)