样板申请：深圳市聚能芯半导体有限公司深圳宝安三十区诺铂广场1904室免费提供技术支持，免费提供DEMO测试及方案资料1.描述24C02/04/08/16/32/64是电可擦除PROM，分别采用256/512/1024/2048/4096/8192×8位的结构以及两线串行接口。电压可允许低至1.8V，待机电流和工作电流分别为1μA和1mA。24C02/04/08/16/32/64具有页写能力，每页分别为8/16/16/16/32/32字节。24C02/04/08/16/32/64具有8-引脚和8针SOP两种封装形式.2.特点宽范围的工作电压1.8V~5.5V低电压技术-1mA典型工作电流-1μA典型待机电流存储器结构-24C02，256X8(2K位)-24C04，512X8(4K位)-24C08，1024X8(8K位)24C16，2048X8(16K位)-24C32，4096X8(32K位)24C64，8192X8(64K位)2线串行接口，完全兼容12C总线I2C时钟频率为1MHz(5V)，400Khz(1.8V，2.5V，2.7V)施密特触发输入噪声***硬件数据写保护内部写周期(***大5毫秒)可按字节写页写：8字节页(24C02)，16字节页(24C04/08/16)，32字节页(24C32/64)可按字节，随机和序列读自动递增地址ESD保护大于2.5kV高可靠性-擦写寿命：100万次-数据保持时间：100年8针DIP和8引脚SOP封装无铅工艺，符合rohs标准)