光电探测器相关内容红外探测器的时间常数比光敏电阻小得多,探测器的时间常数一般为50～500微秒,HgCdTe探测器的时间常数在10-6～10-8秒量级。红外探测器有时要探测非常微弱的辐射信号,例如10-14瓦；输出的电信号也非常小,因此要有专门的前置放大器。在动态特性（即频率响应与时间响应）方面，以光电倍增管和光电二极管（尤其是PIN管与雪崩管）为好；在光电特性（即线性）方面，以光电倍增管、光电二极管和光电池为好；在灵敏度方面，以光电倍增管、雪崩光电二极管、光敏电阻和光电三极管为好。值得指出的是，灵敏度高不一定就是输出电流大，而输出电流大的器件有大面积光电池、光敏电阻、雪崩光电二极管和光电三极管；外加偏置电压低的是光电二极管、光电三极管，光电池不需外加偏置；在暗电流方面，光电倍增管和光电二极管小，光电池不加偏置时无暗电流，加反向偏置后暗电流也比光电倍增管和光电二极管大；长期工作的稳定性方面，以光电二极管、光电池为，其次是光电倍增管与光电三极管；在光谱响应方面，以光电倍增管和CdSe光敏电阻为宽，但光电倍增管响应偏紫外方向，而光敏电阻响应偏红外方向。光电探测器的分类按照光电探测器件的空间分辨率也可分为两类：一类是成像器件，另一类是非成像器件。1、成像器件利用光电探测器，构成图像传感器，对可见光或者红外光谱进行测量，形成光学图像以供处理。主要有CCD和CMOS，广义上，眼睛也属于这类探测器。2、非成像器件所有除成像器件以外的光电探测器件均可称为非成像器件，各种热探测器和大部分光子探测器均属于这一类。以下内容由康冠世纪为您提供，今天我们来分享光电探测器的相关内容，希望对同行业的朋友有所帮助！光电探测器分为光电二极管、雪崩光电管、四象限探测器、位敏探测器、波长感应探测器。1.光电二极管（PIN）：应用于一般通用场合。针对特殊应用，可以增加探测器信号放大和探测器前置滤光片。2.雪崩光电管（APD）：主要用于微弱信号场合，同时具备快速响应能力，可以提供各种尺寸和封装类型。3.四象限探测器（Quadrant）：主要应用于位置传感。4.位敏探测器（PSD）：入射光能量转换为位置相对的连续电流输出，位置信号是相对于入射光的“光学中心”。5.波长敏感探测器（WS）：用于检测单色光波长或复合光的峰值波长，光谱分辨率可达0.01nm。应用范围：安全防护，激光测距，工业控制，分析仪器，光通讯。)