美国Futurrex的光刻胶北京赛米莱德贸易有限公司供应美国Futurrex新型lift-off光刻胶NR9-3000PY，此款负胶的设计适用于比较宽的波长范围和i线（366纳米）***工具。2．请问有没有可以替代goodpr1518，Micropure去胶液和goodpr显影液的产品。当显影后显示出负的侧壁角度，是lift-off工艺中比较简易的光刻胶。和其他胶相比NR9i-3000PY有下面的优势：1.比较高的光刻速度，可以定制光刻速度来***产量2.比较高的分辨率和快的显影时间3.根据***能量可以比较容易的调整侧壁角度4.耐温可以达到100摄氏度5.用RR5去胶液可以很容易的去胶NR9-3000PY的制作和工艺是根据职业和环境的安全而设计。主要的溶剂是，NR9-3000PY的显影在水溶液里完成。属固含量（%）：31-35主要溶剂：外观：浅液体涂敷能：均匀的无条纹涂敷100摄氏度热板烘烤300秒后膜厚涂敷自旋速度40秒自旋。PR1-1500A1光刻胶供应商正性光刻胶的金属剥离技术正性胶的金属剥离工艺对于获得难腐蚀金属的细微光刻图形比常规的光刻胶掩蔽腐蚀法显示了优越性。本文首先对金属剥离工艺中的正、负光刻胶的性能作了对比分析。1μm高温耐受用于i线***的负胶LEDOLED、显示器、MEMS、封装、生物芯片等金属和介电质上图案化，不必使用RIE加工器件的永组成（OLED显示器上的间隔区）凸点、互连、空中连接微通道显影时形成光刻胶倒梯形结构厚度范围：0。认为正性光刻胶除图形分辨率高而适应于微细图形的掩膜外，它还具有图形边缘陡直，去胶容易等独特性能，比负性光刻胶更有利于金属剥离工艺。然后给出了具体的工艺条件，并根据正性光刻胶的使用特点指出了工艺中的关键点及容易出现的问题。如正性光刻胶同GaAs表面的粘附性较差，这就要求对片子表面的清洁处理更为严格。为了高止光刻图形的漂移控制光刻图形的尺寸，对***时同特别是显影液温度提出了严格的要求。由于工艺中基本上不经过腐蚀过程，胶膜的耐腐蚀性降到了次要地位。NR9-1000py问题回馈：1．我们是LED制造商，麻烦推荐几款可以用于离子蚀刻和Lift-off工艺的光刻胶。A据我所知，Futurrex有几款胶很，NR7-1500PNR7-3000P是专门为离子蚀刻设计的，NR9-3000PY可以用于Lift-off上的应用。2．请问有没有可以替代goodpr1518，Micropure去胶液和goodpr显影液的产品？A美国光刻胶，Futurrex正胶PR1-2000A,去胶液RR4，和显影液RD6可以解决以上问题。3．你们是否有可以替代ShipleyS1805的用于DVD的应用产品？A我们建议使用FuturrexPR1-500A,它有几个优点：比较好的解析度，比较好的线宽控制，反射比较少，不需要HMDS，RIE后去除容易等~4．求助，耐高温的光阻是那一种？AFuturrex,NR7serious(负光阻)Orpr1serious(正光阻)，再经过HMCTSsilyiationprocess,可以达到耐高温200度，PSPI透明polyimide,可耐高温250度以上。5．厚膜光阻在镀金应用上，用哪一种比较理想？AFuturrex,NR4-8000P比干膜，和其他市面上的湿膜更加适合，和理想。6．请教LIFT-OFF制程哪一种光阻***适合？A可以考虑使用Futurrex，正型光阻PR1，负型光阻用NR1amp;NR7,它们都可以耐高温180度，完全可以取代一般制作PATTERN的光阻。7．请问，那位***知道，RIEMask,用什么光阻比较好？A正型光阻用PR1系列，负型光阻使用NR5，两种都可以耐高温180度。8．一般厚膜制程中，哪一种光阻***适合？ANR9-8000P有很高的深宽比（超过4：1），一般厚膜以及，MEMS产品的高需求。9．在DEEPRIE和MASK可以使用NRP9-8000P吗？A建议不使用，因为使用NR5-8000更加理想和适合。10．我们是OLED，我们有一种制程上需要一层SPACER，那种光阻***适合？A有一种胶很适合，美国Futurrex生产的NR1-3000PYand和NR1-6000PY,都适合在OLED制程中做spacers)