光刻胶分类1、负性光刻胶主要有聚酸系(聚酮胶)和环化橡胶系两大类，前者以柯达公司的KPR为代表，后者以OMR系列为代表。2、正性光刻胶主要以重氮醒为感光化台物，以酚醛树脂为基本材料。的有AZ-1350系列。正胶的主要优点是分辨率高，缺点是灵敏度、耐刻蚀性和附着性等较差。3、负性电子束光刻胶为含有环氧基、乙烯基或环硫化物的聚合物。的是COP胶，典型特性:灵敏度0.3~0.4μC/cm^2(加速电压10KV时)、分辨率1.0um、对比度0.95。限制分辨率的主要因素是光刻胶在显影时的溶胀。4、正性电子束光刻胶主要为甲酯、烯砜和重氮类这三种聚合物。的是PMMA胶，典型特性:灵敏度40~80μC/cm^2(加速电压20KV时)、分辨率0.1μm、对比度2~3。PMMA胶的主要优点是分辨率高。主要缺点是灵敏度低，此外在高温下易流动，耐干法刻蚀性差。想要了解更多光刻胶的相关内容，请及时关注赛米莱德网站。光刻胶按用途分类光刻胶经过几十年不断的发展和进步，应用领域不断扩大，衍生出非常多的种类，按照应用领域，光刻胶可以划分为印刷电路板(PCB)用光刻胶、液晶显示(LCD)用光刻胶、半导体用光刻胶和其他用途光刻胶。其中，PCB光刻胶技术壁垒相对其他两类较低，而半导体光刻胶代表着光刻胶技术水平。(1)半导体用光刻胶在半导体用光刻胶领域，光刻技术经历了紫外全谱(300～450nm)、G线(436nm)、I线(365nm)、深紫外(DUV，包括248nm和193nm)和极紫外(EUV)六个阶段。相对应于各***波长的光刻胶也应运而生，光刻胶中的关键配方成份，如成膜树脂、光引发剂、添加剂也随之发生变化，使光刻胶的综合性能更好地满足工艺要求。(2)LCD光刻胶在LCD面板制造领域，光刻胶也是极其关键的材料。根据使用对象的不同，可分为RGB胶(彩色胶)、BM胶(黑色胶)、OC胶、PS胶、TFT胶等。光刻工艺包含表面准备、涂覆光刻胶、前烘、对准***、显影、坚膜、显影检查、刻蚀、剥离、终检查等步骤，以实现图形的转移，制造特定的微结构。想要了解更多光刻胶的相关信息，欢迎拨打图片上的***电话！光刻胶定义以下是赛米莱德为您一起分享的内容，赛米莱德***生产光刻胶，欢迎新老客户莅临。光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料，是转移紫外***或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的英文名为resist，又翻译为抗蚀剂、光阻等。因为光刻胶的作用就是作为抗刻蚀层保护衬底表面。光刻胶只是一种形象的说法，因为光刻胶从外观上呈现为胶状液体。光刻胶通常是以薄膜形式均匀覆盖于基材表面。当紫外光或电子束的照射时，光刻胶材料本身的特性会发生改变，经过显影液显影后，***的负性光刻胶或未***的正性光刻胶将会留在衬底表面，负光阻光刻胶公司，这样就将设计的微纳结构转移到了光刻胶上，水处理光刻胶公司，而后续的刻蚀、沉积等工艺，就可进一步将此图案转移到光刻胶下面的衬底上，光刻胶公司，后再使用除胶剂将光刻胶除去就可以了。光刻胶按其形成图形的极性可以分为：正性光刻胶和负性光刻胶。正胶指的是聚合物的长链分子因光照而截断成短链分子；负胶指的是聚合物的短链分子因光照而交链长链分子。短链分子聚合物可以被显影液溶解掉，因此正胶的***部分被去掉，而负胶的***部分被保留。光刻胶一般由4部分组成：树脂型聚合物（resin/polymer），溶剂（solvent），光活性物质（photoactivecompound，PAC），添加剂（Additive）。其中，树脂型聚合物是光刻胶的主体，它使光刻胶具有耐刻蚀性能；溶剂使光刻胶处于液体状态，玻璃光刻胶公司，便于涂覆；光活性物质是控制光刻胶对某一特定波长光/电子束/离子束/X射线等感光，并发生相应的化学反应；添加剂是用以改变光刻胶的某些特性，如控制胶的光吸收率/溶解度等。玻璃光刻胶公司-光刻胶公司-赛米莱德公司由北京赛米莱德贸易有限公司提供。行路致远，砥砺前行。北京赛米莱德贸易有限公司（）致力成为与您共赢、共生、共同前行的战略伙伴，更矢志成为工业制品具影响力的企业，与您一起飞跃，共同成功!)