星际金华电子公司为你提供MJD122T4达林顿晶体管和NUS3046MNT1GN沟道场效应晶体管原装正品价格实惠质量可保证现货热销欢迎咨询MJD122T4达林顿晶体管：晶体管类型NPN-达林顿电流-集电极（Ic）（最大值）8A电压-集射极击穿（最大值）100V不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）4V@80mA，8A电流-集电极截止（最大值）10µA不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）1000@4A，4V功率-最大值20W频率-跃迁-工作温度150°C（TJ）安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63供应商器件封装DPAKNUS3046MNT1GN沟道场效应晶体管：FET类型N沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）40V电流-连续漏极（Id）（25°C时）80A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）10V不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）5毫欧@40A，10V不同Id时的Vgs（th）（最大值）4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）170nC@10VVgs（最大值）±20V不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）9000pF@25VFET功能-功率耗散（最大值）300W（Tc）工作温度-55°C~175°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装D2PAK封装/外壳TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB)