有机热蒸发镀膜机介绍技术指标：1.真空室的极限真空度达5*10-5pa，漏率为关机12小时≤5pa2.真空腔内配有集约样品台一套，配有大挡板和16套小挡板，手动控制，开关方便快捷，单室三源金属热蒸发镀膜机，每个小挡板挡两块30*30mm样片3.蒸发源共14套，其中10套有机蒸发源，4套金属蒸发源。控温精度±1℃，可以实现温度或电流补偿实现蒸镀速率稳定的功能4.金属蒸发源配4台一带一1000W可控硅调压电源，通过铜电极连接，两端可夹钨绞丝或者钽舟，钨绞丝可以蒸镀丝状或者大颗粒材料，钽舟可以蒸镀粉末状材料，蒸发源采用陶瓷全密封，避免交叉污染5.有机蒸发源配10台一带一温控电源，有机源温度为室温-500度，可以根据材料及用户需求自行调节6.样品台具有旋转、升降功能，单室三源金属热蒸发镀膜机报价，可在线更换掩膜板一次，可同时装载30mm*30mm样品16块。本产品每两个样品都配有小挡板，并且通过PLC控制步进电机对每个小挡板做16个***，使机械手推拉小挡板，样品与蒸发源之间的间距为200-300mm以上内容由沈阳鹏程真空技术有限责任公司为您提供，希望对同行业的朋友有所帮助！300C有机无机联合蒸发单室三源金属热蒸发镀膜机300C有机无机联合蒸发主要用途：用于制备导电薄膜，单室三源金属热蒸发镀膜机公司，半导体薄膜，铁电薄膜，光学薄膜等。系统组成:该蒸镀设计系统主要由真空抽气及真空测量系统、真空室系统、工件架系统、蒸发源系统、膜厚测试系统、蒸发舟挡板系统、烘烤照明系统、水冷却循环及报警系统、电控及控制系统、辅助系统等设计。技术指标：极限真空度：≤6.7×10Pa***真空时间：从1×10Pa抽至5×10Pa≤20min系统漏率：6.7×10-7Pa.L/S；真空室：Ф400x400mm圆筒型真空室，蒸发源：1-4个，采用电阻蒸发舟、蒸发蓝、绞丝、束源炉至下向上蒸发镀膜。蒸发温度：加热温度：室温～1800℃；蒸发舟在距中心100～160mm的圆周上；蒸发舟可上下升降，调节幅度0～150mm（样品中心与坩埚距离150~300mm）；工作架类型及尺寸：样品托盘直径Φ300mm，其上可放多个直径20mm的小样品；样品托盘具有自转功能，转速在0～20转/分钟，转速可调；样品托盘可摆角，角度在0～30度可调；烘烤温度：400℃数显自动热偶控温（高温炉盘，数显自动热偶控温可加热到700℃）电阻蒸发源：电压5V，10V，功率2.5KW，水冷电极1~4对石英晶振膜厚控制仪：膜厚测量范围0-999999?想要了解更多沈阳鹏程真空技术有限责任公司的相关信息，欢迎拨打图片上的***电话！多源蒸发系统介绍沈阳鹏程真空技术有限责任公司***供应电阻热蒸发镀膜产品，以下信息由沈阳鹏程真空技术有限责任公司为您提供。主要用途：系统主要用来生长ELOEL分子有机电致发光器件薄膜的研究工作系统组成:该类设备为双室带手套箱结构的有机、无机、多源有机、无机气相分子沉积设备，采用直线式结构，由一个金属材料生长、氧化物生长室、一个有机材料生长室和一个手套箱组成，单室三源金属热蒸发镀膜机厂家，金属材料生长和氧化物生长室以及进样室/氧化物生长室之间通过空气锁联接，样品通过带远程手控盒功能的电动磁力耦合装置在两个生长室之间手动传递。可选手套箱。技术指标：有机蒸发室：经烘烤6小时左右，并连续抽气真空优于8.0×10Pa无机蒸发室：经烘烤6小时左右，并连续抽气真空优于6.6×10Pa蒸发室：方形真空室，尺寸：450×400×350mm***真空时间：40分钟可达6.6×10Pa（短时间暴露大气并充干燥氮气后开始抽气）样品尺寸：50×50mm或100×100mm设有掩膜板和掩膜库金属材料/氧化物生长室可放置1-4个热阻蒸发舟和一个掩膜库有机材料生长室可放置1-8个高温或低温束源炉石英晶振膜厚控制仪：膜厚测量范围0-999999?可选分子泵组或者低温泵组合涡旋干泵抽气系统，可选手套箱。北京沈阳鹏程-单室三源金属热蒸发镀膜机由沈阳鹏程真空技术有限责任公司提供。沈阳鹏程真空技术有限责任公司（）是从事“电阻热蒸发镀膜，磁控溅射，激光脉冲沉积，电子束”的企业，公司秉承“诚信经营，用心服务”的理念，为您提供优质的产品和服务。欢迎来电咨询！联系人：董顺。)