FF100R12KS4和FF100R12RT4有什么不同FF150R12KS4和FF150R12KT3G用在什么地方FF200R12KS4和FF200R122KT4可以互换代替吗？FF300R12KS4和FF300R12KT4是多少钱FZ400R12KS4和FZ400R12KE3参数哪里好FZ600R12KS4与FZ600R12KE3用在什么地方FZ600R17KE4与FF450R12KT4模块IGBT半导体价格【英飞凌高频快速沟槽型低损系列】GD100HFU120C1S-KS4红邦半导体模块GD100HFU120C2S-KS4红邦半导体模块GD150HFU120C2S-KS4红邦半导体模块GD200HFU120C2S-KS4红邦半导体模块GD300HFU120C2S-KS4红邦半导体模块GD400SGU120C2S-KS4红邦半导体模块GD600SGU120C2S-KS4红邦半导体模块传统的两电平变换器拓扑(图1a)的特点是具有两种开关状态：直流母线的正电压和负电压状态(DC+,DC-)。为了降低输出波形中的总谐波失真，需要更多的开关状态。众所周知的三电平NPC1拓扑(图1b)可提供此类额外的开关状态：N点为0V的中性状态。由于更低的电压波形失真，滤波要求可以被降低。这就使这些拓扑的吸引力越来越高，因为滤波器的成本已成为变换器系统设计中的重要影响因素。使用三电平拓扑的缺点是开关器件(IGBT和二极管)的数量会增加，从而增大复杂度并部分地增加整个系统的成本[1]。通过应用NPC2拓扑(图1c)，功率半导体的数量与经典的NPC1装置相比可进一步减少。可以使用两个逆阻型(RB)IGBT，来替代NPC2拓扑中以共集电极方式连接的两个IGBT和二极管。RB-IGBT的内部结构经过改进，可使IGBT承受相同水平的正向和反向阻断电压。相比之下，标准的IGBT能承受的反向阻断电压仅为正向阻断电压的几分之一。因此，使用RB-IGBT意味着NPC2拓扑中可减少两个二极管(图1d)。这样能够带来众多优势，比如降低导通损耗、提高封装面积利用率、简化功率模块的辅助端子布局等[2]。2IGBT驱动器考虑因素图1中所示的各种拓扑对IGBT驱动器的要求各不相同。例如，两电平拓扑通常要求具备短路保护和过压保护之类的功能即可。比较常用的短路保护方案称为VCEsat或退饱和监控，如图6所示。过压保护一般通过对IGBT的集电极-发射极电压进行有源钳位来实现。图4所示为该应用的示例。如果使用三电平NPC1拓扑，IGBT在短路时的关断顺序将非常重要。在这种情况下，必须首先关断半桥的外部IGBT，然后再关断内部IGBT。如果未按此顺序进行关断，内部IGBT将会承受整个直流母线电压并将损坏，因为三电平NPC1拓扑中IGBT的额定电压“仅为”直流母线电压的一半[1]。因此，在发生短路时驱动器不应自动关断IGBT，而应将故障状况报告给控制单元，由控制单元来确保正确的关断顺序。只有内部IGBT采用了***有源钳位的情况下，才能忽略关断顺序，并允许驱动器执行自动关断[3]。图1中所示的NPC拓扑的共同特点是，在正常工作期间，相输出端U的电压相对于中性点N在+1/2DC和-1/2DC之间交变，即极性发生变化。这一点对于在NPC2拓扑中N点和U点之间的IGBT形成双向开关特别有意义。图2所示为当外部开关(此处未显示)分别导通和关断时这些IGBT获得的电压。图2双向开关的理想化电压分布图2a中IGBT的集电极-发射极电压始终为正电压或(理想化)零，这取决于U处的实际相输出电压。因此，对于短路和过压保护，无特殊要求。但是，如果用RB-IGBT作双向开关，情况则不同，U点存在的交变电压要求修改经典的短路保护和过压保护电路。否则，驱动器将会损坏，并***终损坏IGBT。图3(左)举例说明使用富士电机的NPC2功率模块4MBI650VB-120R1-50进行的测试。此例中的负载连接在U和DC-之间，顶部开关T1导通和关断。通道2的波形(“CERB-IGBTT3”)显示了在IGBTT1的导通和关断时N-U之间的交变电压。使用RB-IGBT的NPC2拓扑的开关波形图3使用RB-IGBT的NPC2拓扑的开关波形(VDC=800V,Iload=650A)2.1过压保护功能一般来说，为了防止IGBT被关断过压损坏，通常使用有源钳位电路。(对于小功率应用，也可使用“两电平关断”或“软关断”之类的替代方案[1])。过压由换流回路中的杂散电感以及电流的变化率(di/dt)引起。有源钳位能够可靠地***过压，在大量应用中已经证明其可驱动IGBT进入有源区从而降低di/dt。)