FF100R12KS4和FF100R12RT4有什么不同FF150R12KS4和FF150R12KT3G用在什么地方FF200R12KS4和FF200R122KT4可以互换代替吗？FF300R12KS4和FF300R12KT4是多少钱FZ400R12KS4和FZ400R12KE3参数哪里好FZ600R12KS4与FZ600R12KE3用在什么地方FZ600R17KE4与FF450R12KT4模块IGBT半导体价格【英飞凌高频快速沟槽型低损系列】GD100HFU120C1S-KS4红邦半导体模块GD100HFU120C2S-KS4红邦半导体模块GD150HFU120C2S-KS4红邦半导体模块GD200HFU120C2S-KS4红邦半导体模块GD300HFU120C2S-KS4红邦半导体模块GD400SGU120C2S-KS4红邦半导体模块GD600SGU120C2S-KS4红邦半导体模块对比评估结果新场截止沟道igbt通过同样利用类似场截止技术的竞争设备来评估。在tj=25℃、ic=80a、vce=400v、vge=15v和rg=5ohm的开关测试中，fgh75t65upd显示183uj的关断损耗。额定值为75a/600v的竞争产品igbt的开关损耗为231uj。评估相同封装的二极管的反向***特性。测试条件为if=40a，tj=125℃，vr=400v，di/dt=500a/us。新场截止沟道igbt的qrr为1.17uc，比竞争产品igbt的3.98uc小很多。这个小qrr值可在桥拓扑的情况下减小桥臂中igbt的开通损耗。开关性能通过商业5.5kw额定值光伏并网逆变器来验证，该逆变器具有前端升压级和双极性控制全桥逆变级。两级的开关频率均为19khz。升压级保持原始设计不变，fgh75t65upd和竞争产品igbt应用于全桥逆变级。图2显示fgh75t65upd和竞争产品igbt的效率测试结果。fgh75t65upd的euro和cec加权效率为94.37%和95.08%，竞争产品igbt的分别为93.67%和94.37%。新场截止沟道igbt具有***的开关性能，因此效率更高。显示额定值为50a的新场截止沟道igbt、fgh50t65upd及其竞争产品的另一权衡取舍。fgh50t65upd显示10a和20a的权衡取舍，这是多数应用中的实用工作电流水平。基于这些特性，估计系统中的功率损耗。目标系统是3kw额定混合频率全桥逆变器。两个低端igbt在线路频率下切换，两个***igbt在17khz切换。估计的功率损耗在图4中总结。要验证功率损耗估计值，使用两个igbt评估系统效率;fgh50t65upd和竞争产品3igbt(与fgh50t65upd具有类似的功率损耗)。图5显示3kw逆变器系统的测量效率。竞争产品3igbt在全负载时接近fgh50t65upd。这与估计值相匹配。此外，效率差距随着负载的减小而变大。这也与图3相符，图3中显示当电流水平较低时fgh50t65upd的性能优于竞争产品。上文已介绍新的650v场截止沟道igbt并评估了其性能。新的igbt比上一代igbt提供更好的dc和ac特性、更长的短路耐受时间以及更低的漏电流。经过所有这些改进，新场截止沟道igbt可实现***和可靠的逆变器系统。)