手机USB快速充电过压保护设计方案
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手机USB快速充电过压保护设计方案在为手机充电电路提供过压保护方面,在考虑到远高于6 V的电压情形,如静电放电(ESD),其瞬间的应力电压可能高达几千伏甚至十几千伏,这种情形下,可以施加瞬态电压***器(TVS)二极管,以此处理瞬变极快的过压故障。在这方面,TVS二极管就非常适用。例如,在击穿电压为6.2 V时,ESD5Z5.0T1.G能在几纳秒时间内就对符合IEC61000-4-2标准的高达30 kV的输入电压进行钳位,且钳位电压可高达11.6 V,从而为系统中的关键元件提供可靠的ESD保护。SOD523封装的单向TVS:ESD5Z5.0T1.GSOD323封装的1800W单向TVS:DC0371D3UH(3V)DC0571D3UH(5V)DC0771D3UH(7V)SOD323封装的1800W双向TVS:D***581D3UH(4.5V)DC0581D3UH(5V)DFN1610-2L封装的TVS:DC0371P63.3VDC0571P65VDC0771P67VDC1271P612VDC1571P615V浪涌电流:70-100A(IEC61000-4-5,2欧姆输出阻抗)工作电压:5-12V(单路单向)钳位电压:12.5V@90A峰值功率:1800W静电等级:&plu***n;30kV(接触放电)浪涌等级:200V(不同整机实测数据有差异)·DFN系列产品匹配多种应用环境,使用于VBUS/VBAT以及重要器件保护,瞬态功耗可达1800W,低钳位电压VC.)
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