FS150R12KT4，Infineon英飞凌IGBT模块FS150R12KT4，Infineon英飞凌IGBT模块FS150R12KT4，Infineon英飞凌IGBT模块FS150R12KT4，Infineon英飞凌IGBT模块FS150R12KT4，Infineon英飞凌IGBT模块FS150R12KT4，Infineon英飞凌IGBT模块FS150R12KT4，Infineon英飞凌IGBT模块FS150R12KT4，Infineon英飞凌IGBT模块FS150R12KT4FS150R12KT4FS150R12KT4FS150R12KT4FS150R12KT4FS150R12KT4FS150R12KT4FS150R12KT4FS150R12KT4FS150R12KT4FS150R12KT4FS150R12KT4FS150R12KT4FS150R12KT4FS150R12KT4FP150R12KT4P_B11FF900R12IE4PBOSA1FS150R12KT4_B9制造商:Infineon产品种类:IGBT模块RoHS:详细信息产品:IGBTSiliconModules集电极—发射极***大电压VCEO:1200V集电极—射极饱和电压:2.1V在25C的连续集电极电流:150A栅极—射极漏泄电流:100nAPd-功率耗散:750W***小工作温度:-40C***大工作温度:+150C封装:Tray商标:InfineonTechnologies安装风格:ChassisMount栅极/发射极***大电压:+/-20V产品类型:IGBTModules工厂包装数量:10子类别:IGBTs零件号别名:FS150R12KT4B9制造商:Infineon产品种类:IGBT模块RoHS:详细信息产品:IGBTSiliconModules配置:Hex集电极—发射极***大电压VCEO:1200V在25C的连续集电极电流:150A封装/箱体:Econo3***小工作温度:-40C***大工作温度:+150C封装:Tray高度:17mm长度:122mm宽度:62mm商标:InfineonTechnologies安装风格:ChassisMount栅极/发射极***大电压:+/-20V产品类型:IGBTModules工厂包装数量:10子类别:IGBTs零件号别名:FS150R12KT4)