去边（Edgebeadremoval-EBR）--去胶边的过程，蚀刻标牌，通常在涂胶后将溶剂喷在硅片的背面或前边沿上。前烘（Soft-bake）--在涂胶后用来去除胶溶剂的温度步骤。***--把涂胶后的硅片，暴露在某种形式的射线下，以在胶上产生隐约的图像的步骤。PEB—***以后消除胶里的由衬底反射引起的胶里的驻波的温度步骤。显影（Development）--在***以后分解胶产生掩膜图案的过程。后烘(Hard-bake)—用来去除残留溶剂，金属蚀刻，增加胶的沾着力和耐腐能力，在显影后完成，可以包括DUV固胶。蚀刻是在光刻过的基片上可通过湿刻（wetetching）和干刻（dryetching）等方法将阻挡层上的平面二维图形加工成具有一定深度的立体结构。选用适当的蚀刻剂，使它对光胶、薄膜和基片材料的腐蚀速度不同，孝感蚀刻，可以在薄膜或基片上产生所需的微结构。?复杂的微结构可通过多次重复薄膜沉积－光刻－蚀刻这三个工序来完成。微流控基片通过预处理，涂胶，前烘，***，显影及坚膜，去胶等步骤后，材料上呈现所需要的图形，即通道网络。盖板与微流控芯片基片的封接?基片和盖板封接后形成封闭的小池，可用来储存***或安装电极。氯化铵含量的影响通过蚀刻再生的化学反应可以看出﹕﹝Cu(NH3)2﹞1的再生需要有过量的NH3和NH4CL存在。如果溶液中缺乏NH4CL，而使大量的﹝Cu(NH3)2﹞1得不到再生﹐蚀刻速率就会降低﹐以至失去蚀刻能力。所以﹐氯化铵的含量对蚀刻速率影响很大。随着蚀刻的进行﹐要不断补加氯化铵。但是﹐溶液中CL含量过高会引起抗蚀层被浸蚀。一般蚀刻液中NH4CL含量应在150g/L左右。铝网蚀刻定制-延铭标牌(在线咨询)-孝感蚀刻由深圳市延铭标牌工艺有限公司提供。深圳市延铭标牌工艺有限公司（）实力雄厚，信誉可靠，在广东深圳的工业制品等行业积累了大批忠诚的客户。公司精益求精的工作态度和不断的完善创新理念将***延铭标牌和您携手步入辉煌，共创美好未来！)