PR1-1500A1光刻胶正性光刻胶的金属剥离技术正性胶的金属剥离工艺对于获得难腐蚀金属的细微光刻图形比常规的光刻胶掩蔽腐蚀法显示了优越性。本文首先对金属剥离工艺中的正、负光刻胶的性能作了对比分析。认为正性光刻胶除图形分辨率高而适应于微细图形的掩膜外，它还具有图形边缘陡直，去胶容易等独特性能，光刻胶NR26-12000P，比负性光刻胶更有利于金属剥离工艺。然后给出了具体的工艺条件，并根据正性光刻胶的使用特点指出了工艺中的关键点及容易出现的问题。如正性光刻胶同GaAs表面的粘附性较差，这就要求对片子表面的清洁处理更为严格。为了高止光刻图形的漂移控制光刻图形的尺寸，光刻胶NR9-8000，对***时同特别是显影液温度提出了严格的要求。由于工艺中基本上不经过腐蚀过程，胶膜的耐腐蚀性降到了次要地位。NR77-15000P9，去胶:湿法去胶，用溶剂、用NONG***。负胶，98%H2SO4H2O2胶=COCO2H2O，正胶：BIN酮，干法去胶（ash）氧气加热去胶O2胶=COCO2H2O，等离子去胶Oxygenpla***aashing，高频电场O2---电离O-O，O活性基与胶反应CO2，CO，H2O，光刻检验2，涂胶，在硅片覆盖，旋转，光刻胶NR9G-8000PY1，离心力，在硅片表面通过旋转的光刻胶，工艺参数3000-6000rpm胶膜厚0.5-1um，光刻胶，3，前烘，通过在较高温度下进行烘焙，使存底表面涂覆的光刻胶膜的溶剂挥发，溶剂将至5%左右，同时增强与衬底的粘附性。前烘方法：热平板传导，干燥循环热风提高附着力，红外线辐射。烘箱前烘条件：90-100度，10-20min，前烘时间与温度应适当，如太长或温度太高，光刻胶层变脆而附着力下降，而前烘不足会影响后面的显影效果。光刻胶NR26-12000P-光刻胶-赛米莱德由北京赛米莱德贸易有限公司提供。“光刻胶”就选北京赛米莱德贸易有限公司（），公司位于：北京市北京经济技术开发区博兴九路2号院5号楼2层208，多年来，赛米莱德坚持为客户提供好的服务，联系人：况经理。欢迎广大新老客户来电，来函，亲临指导，洽谈业务。赛米莱德期待成为您的长期合作伙伴！)