磁控溅射原理溅射过程即为入射离子通过--系列碰撞进行能量和动量交换的过程。电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与Ar原子发生碰撞，电离出大量的Ar离子和电子，电子飞向基片，在此过程中不断和Ar原子碰撞，产生更多的Ar离子和电子。Ar离子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子(或分子)沉积在基片上成膜。想了解更多关磁控溅射的相关资讯，请持续关注本公司。直流磁控溅射技术为了解决阴极溅射的缺陷，人们在20世纪开发出了直流磁控溅射技术，它有效地克服了阴极溅射速率低和电子使基片温度升高的弱点，因而获得了迅速发展和广泛应用。其原理是：在磁控溅射中，由于运动电子在磁场中受到洛仑兹力，它们的运动轨迹会发生弯曲甚至产生螺旋运动，其运动路径变长，因而增加了与工作气体分子碰撞的次数，使等离子体密度增大，从而磁控溅射速率得到很大的提高，而且可以在较低的溅射电压和气压下工作，降低薄膜污染的倾向；另一方面也提高了入射到衬底表面的原子的能量，因而可以在很大程度上改善薄膜的质量。同时，经过多次碰撞而丧失能量的电子到达阳极时，已变成低能电子，从而不会使基片过热。因此磁控溅射法具有“高速”、“低温”的优点。该方法的缺点是不能制备绝缘体膜，而且磁控电极中采用的不均匀磁场会使靶材产生显著的不均匀刻蚀，导致靶材利用率低，一般仅为20%-30%。以上内容由创世威纳为您提供，希望对同行业的朋友有所帮助！磁控溅射磁控溅射法是在高真空充入适量的ya气，在阴极(柱状靶或平面靶)和阳极(镀膜室壁)之间施加几百K直流电压，在镀膜室内产生磁控型异常辉光放电，使ya气发生电离。创世威纳拥有***的技术，我们都以质量为本，直流磁控溅射，信誉高，我们竭诚欢迎广大的顾客来公司洽谈业务。如果您对磁控溅射产品感兴趣，欢迎点击左右两侧的在线***，或拨打咨询电话。北京创世威纳-直流磁控溅射由北京创世威纳科技有限公司提供。北京创世威纳科技有限公司（.cn）坚持“以人为本”的企业理念，拥有一支敬业的员工***，力求提供好的产品和服务回馈社会，并欢迎广大新老客户光临惠顾，真诚合作、共创美好未来。创世威纳——您可信赖的朋友，公司地址：北京市昌平区回龙观北京国际信息产业基地高新二街2号4层，联系人：苏经理。)