刻蚀气体的选择对于多晶硅栅电极的刻蚀，腐蚀气体可用Cl2或SF6，要求对其下层的栅氧化膜具有高的选择比。刻蚀单晶硅的腐蚀气体可用Cl2/SF6或SiCl4/Cl2；刻蚀SiO2的腐蚀气体可用CHF3或CF4/H2；刻蚀Si3N4的腐蚀气体可用CF4/O2、SF6/O2或CH2F2/CHF3/O2；刻蚀Al（或Al-Si-Cu合金）的腐蚀气体可用Cl2、BCl3或SiCl4；刻蚀W的腐蚀气体可用SF6或CF4；刻蚀光刻胶的腐蚀气体可用氧气。对于石英材料，可选择气体种类较多，比如CF4、CF4H2、CHF3等。我们选用CHF3气体作为石英的腐蚀气体。其反应过程可表示为：CHF3e——CHF2F(游离基)2e，SiO24FSiF4(气体)O2(气体)。SiO2分解出来的氧离子在高压下与CHF2基团反应，生成CO↑、CO2↑、H2O↑、OF↑等多种挥发性气体[3]。想了解更多关于刻蚀气体的选择的相关资讯，河南离子束刻蚀机，请持续关注本公司。刻蚀机以下是创世威纳为您一起分享的内容，创世威纳***生产离子束刻蚀机，离子束刻蚀机哪家好，欢迎新老客户莅临。刻蚀机是基于真空中的高频激励而产生的辉光放电将四氟化碳中的氟离子电离出来从而获得化学活性微粒与被刻蚀材料起化学反应产生辉发性物质进行刻蚀的。同时为了保证氟离子的浓度和刻蚀速度必须加入一定比例的氧气生成二氧化碳。刻蚀机主要对太阳能电池片周边的P—N结进行刻蚀，使太阳能电池片周边呈开路状态。也可用于半导体工艺中多晶硅，氮化硅的刻蚀和去胶。刻蚀工艺过程以下内容由创世威纳为您提供，今天我们来分享刻蚀工艺过程的相关内容，离子束刻蚀机工作原理，希望对同行业的朋友有所帮助！等离子体刻蚀工艺包括以下六个步骤。分离：气体由等离子体分离为可化学反应的元素；扩散：这些元素扩散并吸附到硅片表面；表面扩散：到达表面后，四处移动；反应：与硅片表面的膜发生反应；解吸：反应的生成物解吸，离开硅片表面；排放：排放出反应腔。河南离子束刻蚀机-北京创世威纳-离子束刻蚀机工作原理由北京创世威纳科技有限公司提供。北京创世威纳科技有限公司（.cn）坚持“以人为本”的企业理念，拥有一支敬业的员工***，力求提供好的产品和服务回馈社会，并欢迎广大新老客户光临惠顾，真诚合作、共创美好未来。创世威纳——您可信赖的朋友，公司地址：北京市昌平区回龙观北京国际信息产业基地高新二街2号4层，联系人：苏经理。)