CENTRALSEMICONDUCTORBZV55***V3系列是高质量、高可靠性的硅齐纳二极管，适用于各类商业、工业、***、计算机和汽车应用。性能特点高质量材料：BZV55***V3系列采用高品质的硅材料制造，确保了二极管的稳定性和可靠性。准确的电压控制：作为齐纳二极管，BZV55***V3系列能够在反向击穿时提供稳定的电压参考，适用于需要准确电压控制的应用。高反向击穿电压：该系列二极管具有较高的反向击穿电压，能够承受较大的反向电压而不会损坏，从而保护电路中的其他元件。低功耗：BZV55***V3系列二极管具有较低的功耗，有助于降低整体电路的能耗，提高能效。技术参数产地：美国类型：齐纳（Zener）二极管平均正向电流：250mA峰值重复正向电流：250mA功率耗散（TL=50°C）：500mW齐纳电压：4.085...4.515V测试电流：5.0mA齐纳阻抗（ZZT@IZT）：max.90Ω齐纳阻抗（ZZK）：max.600Ω反向电流：3.0μA齐纳电流：116mA温度范围：-65°C至200°CRoHS标准：是元件材料：SILICON（硅）)