半导体分立器件特性参数测试是对待测器件（DUT）施加电压或电流，然后测试其对激励做出的响应；通常半导体分立器件特性参数测试需要几台仪器完成，过程既复杂又耗时，还占用过多测试台的空间。实施特性参数分析的***佳工具之一是大功率分立器件测试设备，普赛斯半导体分立器件静态测试系统集多种测量和分析功能一体，可以精准测量不同封装类型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参数，具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、n***电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容、输出电容、反向传输电容等。详询18140663476系统特点和优势：单台Z大3500V输出；单台Z大1000A输出，可并联后Z大6000A；15us的超快电流上升沿；同步测量；国标全指标的自动化测试；系统指标项目参数集电极-发射极Z大电压.3500VZ大电流6000A精度0.10%大电压上升沿典型值5ms大电流上升沿典型值15us大电流脉宽50us~500us漏电流测试量程1nA~100mA栅极-发射极Z大电压300VZ大电流1A(直流)/10A(脉冲)精度0.05%Z小电压分辨率30uVZ小电流分辨率10pA电容测试典型精度0.5%频率范围10Hz~1MHz电容值范围0.01pF~9.9999F温控范围25℃~150℃精度±1℃测试项目集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)输入电容、输出电容、反向传输电容续流二极管压降VfI-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等普赛斯大功率分立器件测试设备集多种测量和分析功能一体，可精准测量功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参数，电压可高达10KV,电流可高达6KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数，具有高电压和大电流特性，uΩ级电阻，皮安级电流精准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容，输出电容、反向传输电容等。功率器件静态参数测试系统采用模块化设计，方便用户添加或升级测量模块，适应测量功率器件不断变化的需求。详询一八一四零六六三四七六；选择普赛斯仪表的理由武汉普赛斯是国内***早生产源表的厂家，产品系列丰富：产品覆盖不同的电压、电流范围，产已经过了市场的考验、市面有近500台源表在使用；普赛斯仪表特色：高电流、高电压测试，3500V电压下可测量p***漏电流，1000A脉冲电流源15us的超快上升沿。)