wat半导体参数测试设备+晶圆片检测仪测试项目集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)输入电容、输出电容、反向传输电容续流二极管压降VfI-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等；详询18140663476普赛斯功率器件静态测试解决方案普赛斯功率器件静态参数测试系统,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级***测量、n***电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。普赛斯功率器件静态测试系统配置由多种测量单元模块组成,系统模块化的设计能够极大方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。“双高”系统优势高电压、大电流具有高电压测量/输出能力,电压高达3500V(蕞大可扩展至10kV)具有大电流测量/输出能力,电流高达6000A(多模块并联)高精度测量n***漏电流,μΩ级导通电阻0.1%精度测量模块化配置可根据实际测试需要灵活配置多种测量单元系统预留升级空间,后期可添加或升级测量单元测试效率高内置专用开关矩阵,根据测试项目自动切换电路与测量单元支持国标全指标的一键测试扩展性好支持常温及高温测试可灵活定制各种夹具武汉普赛斯仪表自主研发的高精度台式数字源表、脉冲式源表、集成插卡式源表、窄脉冲电流源、高精度高压电源等，田补国产空白。主要应用于半导体器件的测试工艺，为客户提供模块化硬件、***驱动程序和***算法软件组合，帮助用户构建自定***决方案。为半导体封测厂家提供相关测试仪表、测试平台，以及相关技术服务，满足行业对测试效率、测试精度，以及低成本的挑战。详询一八一四零六六三四七六；)