BD SENSORS硅传感器iS 4
利用半导体的压阻效应和微机械加工技术,在单晶硅片的特定晶向上,用光刻、扩散等半导体工艺制做一惠斯登电桥,形成敏感膜片,当受到外力作用时产生微应变,电阻率发生变化,使桥臂电阻发生变化(一对变大一对变小)在激励电压信号输出,经过计算机温度补偿、激光调阻、信号放大等处理手段和严格的装配检测、标定等工艺,生产出具有标准输出信号的压力变送器性能特点公称压力0至10巴符合V1.1规范的IO-Link精度0.5%FSO硅传感器,RTV结构紧凑)
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