退火炉是在半导体器件制造中使用的一种工艺，其包括加热多个半导体晶片以影响其电性能。热处理是针对不同的效果而设计的。可以加热晶片以掺杂剂，将薄膜转换成薄膜或将薄膜转换成晶片衬底界面，使致密沉积的薄膜，改变生长的薄膜的状态，修复注入的损伤，移动掺杂剂或将掺杂剂从一个薄膜转移到另一个薄膜或从薄膜进入晶圆衬底。退火炉可以集成到其他炉子处理步骤中，例如氧化，或者可以自己处理。退火炉是由专门为加热半导体晶片而设计的设备完成的。退火炉是节能型周期式作业炉，超节能结构，采用纤维结构，节电60%。罩式光亮退火炉特点：1、材料整个退火工艺过程都置于保护气氛中，经退火的工件表面光亮无氧化，材料表面不脱碳氧化。2、由于炉内保护气由风机强对流循环，炉温均匀，使炉内温差控制在5℃以内；从而有效保证炉内所有退火材料软硬一致，便于材料深加工。3、采用双炉座升温、冷却，准连续作业模式。炉体结构科学合理，节能效果明显，吨钢能耗低国内。单炉装容达90吨，生产。隧道式烘箱温度如何验证及案例温度验证设备：隧道式烘箱验证仪器选用：1、INON研工温度验证仪一台(INON研工温度验证仪可进行温度前校准和后校验，保证验证的完整性与可追溯性，温度数据报告分析详细，温度与Fh值大小比较与总结直观，能很好提供给客户温度信息)2、美国Fluke9172干式计量炉(校准温度验证仪探头的装置)3、PT100型热电阻干热探头(INON研工温度验证系统中的干热温度探头采用德国进口PT100薄膜铂电阻，精度等级1/3B级(高于A的正负0.15度)，经过校准可达到正负0.1度，远远高于***生产验证指南正负0.5度的要求。)4、干热探头支架)