企业视频展播，请点击播放视频作者：苏州振鑫焱光伏科技有限公司多晶硅的技术特征⑴多种生产工艺路线并存，产业化技术、垄断局面不会改变。由于各多晶硅生产工厂所用主辅原料不尽相同，因此生产工艺技术不同；进而对应的多晶硅产品技术经济指标、产品质量指标、用途、产品检测方法、过程安全等方面也存在差异，各有技术特点和技术秘密，总的来说，报废太阳能板回收，国际上多晶硅生产主要的传统工艺有：改良西门子法、***法和流化床法。其中改良西门子工艺生产的多晶硅的产能约占世界总产能的80%，短期内产业化技术垄断的局面不会改变。⑵新一代低成本多晶硅工艺技术研究活跃。除了传统工艺（电子级和太阳能级兼容）及技术升级外，还涌现出了几种专门生产太阳能级多晶硅的新工艺技术，主要有：改良西门子法的格工艺；冶金法从金属硅中提取高纯度硅；高纯度SiO2直接制取；熔融析出法（VLD：VapertoliquiddeiTIon）；还原或热分解工艺；无氯工艺技术，Al－Si溶体低温制备太阳能级硅；熔盐电解法等。车载逆变器产品的主要元器件参数及代换IRFZ48N为TO-220形式封装的N沟道增强型MOS快速功率开关管。其引脚电极排序1为栅极G、2为漏极D、3为源极S。IRFZ48N的主要参数指标为：VDss=55V，ID=66A，Ptot=140W，TJ=175℃，***(ON)≤16mΩ。当IRFZ48N损坏无法买到时，可用封装形式和引脚电极排序完全相同的N沟道增强型MOS开关管IRF3205进行代换。IRF3205的主要参数为VDss=55V，ID=110A，***(ON)≤8mΩ。其市场售价仅为每只3元左右。IRF740A为TO-220形式封装的N沟道增强型MOS快速功率开关管。其引脚电极排序1为栅极G、2为漏极D、3为源极S。IRF740A的主要参数指标为：VDSS=400V，ID=10A，Ptot=120W，***(ON)≤550mΩ。当IRF740A损坏无法买到时，可用封装形式和引脚电极排序完全相同的N沟道增强型MOS开关管IRF740B、IRF740或IRF730进行代换。IRF740、IRF740B的主要参数与IRF740A完全相同。IRF730的主要参数为VDSS=400V，ID=5.5A，***(ON)≤1Ω。其中IRF730的参数虽然与IRF740系列的相比略差，但对于150W以下功率的逆变器来说，其参数指标已经是绰绰有余了。4、可靠性太阳能光伏发电系统运行中，逆变器可靠性是形响系统可靠性的主要因家之一。因为光伏发电系统一般工作在比较偏远的艰苦地方，维护不方便，逆变器必须是可书的。其可书性要求逆变器具有良好的保护功能，包括逆变器中的过流保护和短路保护功能。在光伏发电系统正常运行时，由于负载故障、人为误操作和外界干扰等原因，引起供电系统电流过大或短路等情况是极有可能发生的，要提高可靠性，必须要求逆变器要有相关的保护功能。)