湖北SLED-沐普科技光源
OCT系统的基本性能参数由光源决定,光源带宽决定了纵向分辨率,光源波长决定可能穿透深度。OCT光源的选用需要从中心波长、带宽、稳定性、谱型、功率等多方面考虑。通常由成像对象的性质来选择光的波长,目前眼前节OCT通常采用1310nm宽带SLD,眼底OCT采用830nm宽带SLD作为光源。武汉沐普科技SLD(SLED)宽带光源涵盖了800-1650nm波长范围内不同波长区间的要求,典型中心波长包括:840nm、1060nm、1310nm、1550nm等,输出功率和谱宽具有非常大的选择空间。另外公司还可以根据客户的要求提供低偏振度的SLD光源,满足客户不同应用领域的要求高功率SLD(SLED)宽带光源是一款为科学研究和工业生产而设计的高稳定度光源;内置高功率、宽光谱的SLD(SLED)模块。针对SLD(SLED)激光器的特殊性,武汉沐普科技SLD(SLED)光源在电路设计和光路处理上采取了专门的保护措施,避免了电流电压的突变以及回光对SLD(SLED)激光器的损伤,SLED,确保光源长期、安全、稳定地工作。SLD(SLED)宽带光源涵盖了800-1650nm波长范围内不同波长区间的要求,典型中心波长包括:840nm、980nm、1060nm、1310nm、1550nm等,输出功率和谱宽具有非常大的选择空间。另外公司还可以根据客户的要求提供低偏振度的SLD光源,满足客户不同应用领域的要求超辐射发光二极管(SLD)是边发射半导体光源。超辐射发光二极管(SLD)具有与输出激光二极管(LD)类似的高输出功率和低光束发散度,但具有更宽的光谱和低相干性,类似于发光二极管(LED)。与LD相比,SLD的具体区别是:有源区内的增益更高,电流密度更高,光子的不均匀性和载流子密度分布更强。SLD具有与LED相似的结构特征,都是通过降低刻面的反射率来***激光作用,但是SLD没有LD内置的反射机制用于受激辐射以实现激光输出。SLD本质上是高度优化的LED。虽然SLD可以像低电流水平的LED一样工作,但是它的输出功率在高电流下是超线性地增加。因为其宽光谱的特性,普通光隔离器(带宽较窄)无法对其发射光谱完全隔离,因此需要特殊的宽带宽隔离器与其配套使用。在SLD光源以及应用宽带宽的光学系统中,宽带宽隔离器是保护SLD激光光源的不2选择。湖北SLED-沐普科技光源由武汉沐普科技有限公司提供。“SLD宽带光源,高稳定性DFB光源”选择武汉沐普科技有限公司,公司位于:湖北省武汉市东湖新技术开发区佛祖岭街竹林小路9号金能风电产业园3号厂房栋60F号,多年来,沐普科技坚持为客户提供好的服务,联系人:聂总。欢迎广大新老客户来电,来函,亲临指导,洽谈业务。沐普科技期待成为您的长期合作伙伴!)
武汉沐普科技有限公司
姓名: 聂总 先生
手机: 15927424867
业务 QQ: 695165238
公司地址: 湖北省武汉市东湖新技术开发区佛祖岭街竹林小路9号金能风电产业园3号厂房栋60F号
电话: 159-27424867
传真: 159-27424867