企业视频展播，请点击播放视频作者：苏州振鑫焱光伏科技有限公司用于升压级的开关和二极管在旧有NPT平面技术?的基础上开发了一种可以提高高开关频率的升压电路效率的器件FGL40N120AND，具有43uJ/A的EOFF?，比较采用更***技术器件的EOFF为80uJ/A，但要获得这种性能却非常困难。FGL40N120AND器件的缺点在于饱和压降VCE(SAT)(3.0V相对于125oC的2.1V)较高，不过它在高升压开关频率下开关损耗很低的优点已足以弥补这一切。该器件还集成了反并联二极管。在正常升压工作下，该二极管不会导通。然而，在启动期间或瞬变情况下，升压电路有可能被驱使进入工作模式，这时该反并联二极管就会导通。由于IGBT本身没有固有的体二极管，故需要这种共封装的二极管来保证可靠的工作。对升压二极管，需要Stealth?或碳硅二极管这样的快速***二极管。碳硅二极管具有很低的正向电压和损耗。不过目前它们的价格都很高昂。在选择升压二极管时，必须考虑到反向***电流(或碳硅二极管的结电容)对升压开关的影响，因为这会导致额外的损耗。在这里，新推出的StealthII二极管FFP08S60S可以提供更高的性能。当VDD=390V、ID=8A、di/dt=200A/us，且外壳温度为100oC时，计算得出的开关损耗低于FFP08S60S的参数205mJ。而采用ISL9R860P2Stealth二极管，这个值则达225mJ。故此举也提高了逆变器在高开关频率下的效率。1、逆变效率。逆变效率是衡量逆变器性能的一个重要参数，逆变效率值用来表征其自身损耗功率的大小，通常以%来表示。逆变器中逆变效率直接关系到系统效率，如果逆变器逆变效率过低，将严重导致系统效率下降。在太阳能光伏发电系统中，太阳电池方阵的转换效率目前一般不超过18%，且太阳电池的成本较高，如果想提高2%一3%转换效率非常困难，但提高逆变器逆变效率3%一5%却是完全可能的。逆变器效率的高低是逆变器性能好坏的一个该要标准，对光伏发电系统提高发电量和降低发电成本有着重要影响。车载逆变器产品的主要元器件参数及代换IRFZ48N为TO-220形式封装的N沟道增强型MOS快速功率开关管。其引脚电极排序1为栅极G、2为漏极D、3为源极S。IRFZ48N的主要参数指标为：VDss=55V，ID=66A，Ptot=140W，TJ=175℃，***(ON)≤16mΩ。当IRFZ48N损坏无法买到时，可用封装形式和引脚电极排序完全相同的N沟道增强型MOS开关管IRF3205进行代换。IRF3205的主要参数为VDss=55V，ID=110A，***(ON)≤8mΩ。其市场售价仅为每只3元左右。IRF740A为TO-220形式封装的N沟道增强型MOS快速功率开关管。其引脚电极排序1为栅极G、2为漏极D、3为源极S。IRF740A的主要参数指标为：VDSS=400V，ID=10A，Ptot=120W，***(ON)≤550mΩ。当IRF740A损坏无法买到时，可用封装形式和引脚电极排序完全相同的N沟道增强型MOS开关管IRF740B、IRF740或IRF730进行代换。IRF740、IRF740B的主要参数与IRF740A完全相同。IRF730的主要参数为VDSS=400V，ID=5.5A，***(ON)≤1Ω。其中IRF730的参数虽然与IRF740系列的相比略差，但对于150W以下功率的逆变器来说，其参数指标已经是绰绰有余了。)