铜掺杂***的制备及电化学性质铜掺杂***的制备及电化学性质采用沉淀法于300和600℃制备了结晶状的Cu0.04V2O5材料.扫描电镜显示，300℃时制备的样品具有多孔特征，而600℃时制备的样品具有很高的结晶度.X射线研究表明，少量铜掺杂不会改变V2O5的正交晶体结构.红外光谱研究表明，300℃时制备的Cu0.04V2O5样品含有少量水.热失重分析确定了样品中所含水分是以吸附水的形式存在，1mol材料分子吸附水的摩尔数约为0.18mol.铜掺杂显著改善了V2O5的结构稳定性，进而提高了材料的充放电循环性能.于600℃制备的样品在C/5.6倍率下具有160mAh·g-1的可逆比容量，但提高放电倍率明显降低了材料的循环性能.于300℃制备的样品在C/5.6倍率时的循环性能不如600℃样品，但该材料在C/1.9倍率时仍具有100mAh·g-1左右的可逆比容量.两种材料在电化学性能上的差异与材料的微结构有关.低温样品在较高放电倍率时良好的循环性能得益于其多孔的微结构，高纯***，而高温样品由于其较高的结晶度而表现出优异的低倍率充放电性能.60Coγ射线辐照对纳米复合材料结构与性能的影响采用原位氧化聚合法将聚插入层状V2O5的片层中，制得了聚/***(PAn/V2O5)纳米复合材料，安庆***，并借助热失重分析(Thermogr***imetricanalysis，TGA)、傅立叶变换红外光谱(Fouriertransforminfraredspectra，FTIR)、X射线衍射(X-raydiffraction，XRD)、电导率及循环伏安测试等手段研究了60Coγ射线辐照对纳米复合材料结构与性能的影响。结果表明，60Coγ射线辐照可使V2O5片层间的低分子量的齐聚物转化为大分子量的聚，偏钒酸铵***，从而提高了纳米复合材料热稳定性;同时电化学性能也得到明显改善。且辐照对纳米复合材料的层状结构几乎没有影响。本文采用碳热法还原V2O5制备钒的氧化物VO2。用XRD分析生成物的相结构，用DSC/TGA的分析结果推测反应历程。结果表明:反应经历了674°C-710°C期间生成V6O13和710°C以上完全形成VO2的过程。将VO2与LAS玻璃复合烧结成陶瓷，对其进行阻温测试，结果表明:在室温至100°C间复合陶瓷电阻急骤下降，这是由VO2的半导体-金属相变效应引起的。安庆***-生产***-人本合金(推荐商家)由芜湖人本合金有限责任公司提供。芜湖人本合金有限责任公司位于安徽新芜经济开发区赵桥园区五星大道13号。在市场经济的浪潮中拼博和发展，目前人本合金在金属加工助剂中享有良好的声誉。人本合金取得全网商盟认证，标志着我们的服务和管理水平达到了一个新的高度。人本合金全体员工愿与各界有识之士共同发展，共创美好未来。)