主要特性与技术指标适合功率器件表征的综合解决方案，高达1500A和10kV中等电流测量和高电压偏置（例如，500mA，1200V）μΩ导通电阻测量功能高电压偏置时，可进行***的sub-pA电平电流测量在-50℃至+250℃温度范围内进行全自动热测试广泛的器件测量功能可在高达3000V直流偏置时执行全自动电容测量（Ciss、Coss、Crss等）10μs高功率脉冲测量封装器件和晶圆上IGBT/FET栅极电荷测量高电压/强电流快速切换选件，适用于GaN电流崩塌效应表征多达5个高电压（3kV）电源/测量通道，提供的灵活性多达5个高电压（3kV）电源/测量通道，提供的灵活性)