以氧化钒和石墨粉为原料，采用聚乙烯醇粘接制备阴极片以氧化钒和石墨粉为原料，采用聚乙烯醇粘接制备阴极片。以光谱石墨棒为阳极，阴极片在800℃氯化钙熔盐中自烧结，碳化钒，恒电压3.2V下，通过熔盐电解法制备碳化钒。结果表明:粘接的阴极片强度满足熔盐电解的要求，通过熔盐电解，不仅完成阴极片自烧结的过程，纳米碳化钒，并制备出组分单一的碳化钒粉体。通过不同电解阶段产物的物相及循环伏安曲线对反应机制进行研究的结果表明:碳化钒的形成过程为3步反应:V5++(C)→V3++(C)→V2++(C)→V(Cx)。高钒高速钢残留奥氏体转变及碳化钒析出的影响900~1100℃淬火后，研究了250~600℃回火对高钒高速钢残留奥氏体转变及碳化钒析出的影响。结果表明：高钒高速钢的回火温度存在临界值（约450℃）。当回火温度低于临界值时，残留奥氏体含量变化不明显。当回火超过临界值后，随回火温度提高，残留奥氏体含量迅速降低。回火过程中碳化钒留奥氏体中析出是残留奥氏体转变的前提条件。碳化钒的析出取决于非平衡热力学条件，而其析出量在回火温度超过450℃后可根据平衡热力学估算。碳化钒的析出使得残留奥氏体向马氏体转变的相变驱动力大于临界相变驱动力，为残留奥氏体转变提供可能，超细碳化钒，但残留奥氏体的转变量主要取决于动力学因素。回火温度提高引起马氏体形核率呈指数提高，导致残留奥氏体含量迅速降低。为了提高碳化物靶溅射薄膜的结晶程度和相应的力学性能，采用等化学计量比的vc靶（n（c）：n（V）=1：1）和富V的VC靶（n（c）：n（v）=0．75：1）通过磁控溅射方法制备了一系列VC薄膜，碳化钒报价，利用EDS、XRD、SEM和微力学探针研究了靶成分、溅射气压和基片温度对薄膜化学成分、微结构和力学性能的影响．结果表明，对于等化学计量比的VC靶，在Ar气压为2．4-3．2Pa的范围内可获得结晶程度和硬度较高的VC薄膜，其硬度为28GPa．而采用富V的VC靶时，在较低的Ar气压（0．6-1．8Pa）下就可获得结晶程度高的VC薄膜，其硬度达到31．4GPa．可见，相对于溅射参数的Ar气压和基片温度，靶的成分对于所获薄膜的成分、微结构和力学性能影响更显著，因而适当提高靶中金属组分的含量是获得结晶良好且具高硬度的VC薄膜更为有效的途径．碳化钒报价-碳化钒-芜湖人本合金偏***(查看)由芜湖人本合金有限责任公司提供。芜湖人本合金有限责任公司在金属加工助剂这一领域倾注了诸多的热忱和热情，人本合金一直以客户为中心、为客户创造价值的理念、以品质、服务来赢得市场，衷心希望能与社会各界合作，共创成功，共创辉煌。相关业务欢迎垂询，联系人：马经理。)