光刻胶的应用以下内容由赛米莱德为您提供，希望对同行业的朋友有所帮助。模拟半导体（AnalogSemiconductors）发光二极管（Light-EmittingDiodesLEDs）微机电系统（MicroelectromechanicalSystemsMEMS）太阳能光伏（SolarPhotovoltaicsPV）微流道和生物芯片（Microfluidics&Biochips）光电子器件/光子器件（Optoelectronics/Photonics）封装（Packaging）光刻胶的主要技术参数1．灵敏度（Sensitivity）灵敏度是衡量光刻胶***速度的指标。光刻胶的灵敏度越高，NR2120000P光刻胶公司，所需的***剂量越小。单位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。2．分辨率（resolution）区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸（CD，NR2120000P光刻胶，CriticalDimension）来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。光刻胶的分辨率是一个综合指标，NR2120000P光刻胶价格，影响该指标的因素通常有如下3个方面：(1)***系统的分辨率。(2)光刻胶的对比度、胶厚、相对分子质量等。一般薄胶容易得到高分辨率图形。(3)前烘、***、显影、后烘等工艺都会影响光刻胶的分辨率。想了解更多关于光刻胶的相关资讯，NR2120000P光刻胶厂家，请持续关注本公司。含硅光刻胶为了避免光刻胶线条的倒塌，线宽越小的光刻工艺，就要求光刻胶的厚度越薄。在20nm技术节点，光刻胶的厚度已经减少到了100nm左右。但是薄光刻胶不能有效的阻挡等离子体对衬底的刻蚀[2]。为此，研发了含Si的光刻胶，这种含Si光刻胶被旋涂在一层较厚的聚合物材料（常被称作Underlayer），其对光是不敏感的。***显影后，利用氧等离子体刻蚀，把光刻胶上的图形转移到Underlayer上，在氧等离子体刻蚀条件下，含Si的光刻胶刻蚀速率远小于Underlayer，具有较高的刻蚀选择性[2]。含有Si的光刻胶是使用分子结构中有Si的有机材料合成的，例如硅氧烷，含Si的树脂等以上就是关于光刻胶的相关内容介绍，如有需求，欢迎拨打图片上的***电话！北京赛米莱德-NR2120000P光刻胶由北京赛米莱德贸易有限公司提供。北京赛米莱德-NR2120000P光刻胶是北京赛米莱德贸易有限公司今年新升级推出的，以上图片仅供参考，请您拨打本页面或图片上的联系电话，索取联系人：苏经理。)