铜掺杂***的制备及电化学性质铜掺杂***的制备及电化学性质采用沉淀法于300和600℃制备了结晶状的Cu0.04V2O5材料.扫描电镜显示，300℃时制备的样品具有多孔特征，生产***，而600℃时制备的样品具有很高的结晶度.X射线研究表明，少量铜掺杂不会改变V2O5的正交晶体结构.红外光谱研究表明，300℃时制备的Cu0.04V2O5样品含有少量水.热失重分析确定了样品中所含水分是以吸附水的形式存在，1mol材料分子吸附水的摩尔数约为0.18mol.铜掺杂显著改善了V2O5的结构稳定性，进而提高了材料的充放电循环性能.于600℃制备的样品在C/5.6倍率下具有160mAh·g-1的可逆比容量，***价格，但提高放电倍率明显降低了材料的循环性能.于300℃制备的样品在C/5.6倍率时的循环性能不如600℃样品，但该材料在C/1.9倍率时仍具有100mAh·g-1左右的可逆比容量.两种材料在电化学性能上的差异与材料的微结构有关.低温样品在较高放电倍率时良好的循环性能得益于其多孔的微结构，而高温样品由于其较高的结晶度而表现出优异的低倍率充放电性能.以、次氯酸溶解样品，溶液制样法，采用偏振能量色散以、次氯酸溶解样品，溶液制样法，采用偏振能量色散X射线荧光光谱法(EDXRF)对石煤钒中***含量进行了定量分析。采用盐酸溶解高纯***配制校准溶液并绘制校准曲线，***，线性相关系数为0.9997，方法检出限为1.99mg/L。试样中其他元素Si、Ca、Fe、Al、Mg对钒的测定无显著影响;XRF能谱图考察发现:Si、Ca、Fe、Al、Mg的Kα线与V的Kα线均无重叠，并且这些元素的Kβ线及次级线对V的Kα线也无重叠。精密度试验表明，10次测量结果的相对标准偏差为1.5%。方法用于石煤钒矿中钒元素的分析，与滴定法测定结果一致性较好。用工业V2O5为原料采用无机溶胶-凝胶法制备V2O5溶胶和凝胶，并用此胶体在不同衬底上制备出透明的半导体V2O5薄膜。研究了胶体粘度对涂膜的影响，以及薄膜电阻率与温度、烘干处理和厚度的关系。用扫描电子显微镜(SEM)研究了薄膜的微观形貌，用XRD研究了薄膜的成份及其变化。结果表明:胶体粘度对涂膜有较大影响;温度、湿份、薄膜厚度对薄膜电阻率均有较大影响;V2O5薄膜由针状V2O5颗粒组成，在衬底上呈均匀分布，***催化剂，且结构比较密集，其颗粒径向尺寸为0.5～1.0μm，长度方向为30～50μm。烘干处理后颗粒轮廓略有模糊、结构稀疏且尺寸有所长大，同时新生成了一些钒化合物。***-芜湖人本合金偏钒酸铵-***催化剂由芜湖人本合金有限责任公司提供。芜湖人本合金有限责任公司坚持“以人为本”的企业理念，拥有一支高素质的员工***，力求提供更好的产品和服务回馈社会，并欢迎广大新老客户光临惠顾，真诚合作、共创美好未来。人本合金——您可信赖的朋友，公司地址：安徽新芜经济开发区赵桥园区五星大道13号，联系人：马经理。)