企业视频展播，请点击播放视频作者：苏州振鑫焱光伏科技有限公司车载逆变器产品的主要元器件参数及代换IRFZ48N为TO-220形式封装的N沟道增强型MOS快速功率开关管。其引脚电极排序1为栅极G、2为漏极D、3为源极S。IRFZ48N的主要参数指标为：VDss=55V，ID=66A，Ptot=140W，TJ=175℃，***(ON)≤16mΩ。当IRFZ48N损坏无法买到时，可用封装形式和引脚电极排序完全相同的N沟道增强型MOS开关管IRF3205进行代换。IRF3205的主要参数为VDss=55V，ID=110A，***(ON)≤8mΩ。其市场售价仅为每只3元左右。IRF740A为TO-220形式封装的N沟道增强型MOS快速功率开关管。其引脚电极排序1为栅极G、2为漏极D、3为源极S。IRF740A的主要参数指标为：VDSS=400V，ID=10A，Ptot=120W，***(ON)≤550mΩ。当IRF740A损坏无法买到时，可用封装形式和引脚电极排序完全相同的N沟道增强型MOS开关管IRF740B、IRF740或IRF730进行代换。IRF740、IRF740B的主要参数与IRF740A完全相同。IRF730的主要参数为VDSS=400V，ID=5.5A，***(ON)≤1Ω。其中IRF730的参数虽然与IRF740系列的相比略差，回收电池板回收公司，但对于150W以下功率的逆变器来说，其参数指标已经是绰绰有余了。超高速沟道IGBT也提供方形反向偏压工作区、高175℃结温，还可承受4倍的额定电流。为了要显示它们的耐用性，这些功率器件也经过100%钳位电感负载测试。与高侧不同，通态耗损支配了低侧IGBT。因为低侧晶体管的工作频率只有60Hz，开关损耗对这些器件来说微不足道。标准速度平面IGBT是特别为低频率和较低通态耗损而设计。所以，随着低侧器件于60Hz进行开关，这些IGBT要通过采用标准速度平面IGBT来达到的低功率耗损水平。因为这些器件的开关损耗非常少，标准速度平面IGBT的总耗散并没有受到其开关耗损所影响。基于这些考虑，标准速度IGBTIRG4BC20SD因此成为低功率器件的选择。一个第四代IGBT与超高速软***反向并联二极管协同封装，并且为低饱和电压和低工作频率(<1kHz)进行优化。在10A下的典型Vce(on)为1.4V。针对低正向降及反向漏电流，跨越低侧IGBT的协同封装二极管已经优化了，以在续流和反向***期间把损耗降到低。逆变器的未来未来的太阳能逆变器需要具备以下特性。更高的效率：目前，美国市场上逆变器的效率可达95％。在欧洲，由于采用无变压器的设计和创新的拓扑结构，可实现更有效率。例如：有一款产品(***ASunnyMiniCentral8000TL)就声称可达到98％的效率。更低的成本：大约0.2-0.3美元/瓦的价格已被设定为2020年逆变器的价格目标，这意味着比目前售价降低了50-75％。这个目标有可能通过增加产量和改善学习曲线来实现。更高可靠性：目前，逆变器的MTBF(平均无故障时间)为5~10年。理想情况是，逆变器的寿命应与光伏发电系统内的其它组件一样长(即25年)。但很多人怀疑，是否有可能以合理的成本实现这样的目标。在中近期，通过改进质量控制、更好地散热并降低复杂性，MTBF大于10年的目标是可能实现的。***的通信功能：今天，逆变器可以记录并借助制造商特定的协议传递信息。下一代单元应使用通用的通信标准传送系统信息，以实现***的诊断功能，并能与公用服务机构通信，以支持电网的稳定性。)