企业视频展播，请点击播放视频作者：苏州振鑫焱光伏科技有限公司车载逆变器产品的主要元器件参数及代换IRFZ48N为TO-220形式封装的N沟道增强型MOS快速功率开关管。其引脚电极排序1为栅极G、2为漏极D、3为源极S。IRFZ48N的主要参数指标为：VDss=55V，ID=66A，Ptot=140W，TJ=175℃，***(ON)≤16mΩ。当IRFZ48N损坏无法买到时，可用封装形式和引脚电极排序完全相同的N沟道增强型MOS开关管IRF3205进行代换。IRF3205的主要参数为VDss=55V，ID=110A，***(ON)≤8mΩ。其市场售价仅为每只3元左右。IRF740A为TO-220形式封装的N沟道增强型MOS快速功率开关管。其引脚电极排序1为栅极G、2为漏极D、3为源极S。IRF740A的主要参数指标为：VDSS=400V，ID=10A，Ptot=120W，***(ON)≤550mΩ。当IRF740A损坏无法买到时，可用封装形式和引脚电极排序完全相同的N沟道增强型MOS开关管IRF740B、IRF740或IRF730进行代换。IRF740、IRF740B的主要参数与IRF740A完全相同。IRF730的主要参数为VDSS=400V，ID=5.5A，***(ON)≤1Ω。其中IRF730的参数虽然与IRF740系列的相比略差，但对于150W以下功率的逆变器来说，其参数指标已经是绰绰有余了。车载逆变器产品的主要元器件参数及代换图1电路中的主要器件有驱动管SS8550、KSP44，MOS功率开关管IRFZ48N、IRF740A，快***整流二极管HER306以及PWM控制芯片TL494CN(或KA7500C)。SS8550为TO-92形式封装的PNP型三极管。其引脚电极的识别方法是，当面向三极管的印字标识面时，引脚1为发射极E、2为基极B、3为集电极C。SS8550的主要参数指标为：BVCBO=-40V，BVCEO=-25V，VCE(S)=-0.28V，VBE(ON)=-0.66V，fT=200MHz，ICM=1.5A，PCM=1W，TJ=150℃，hFE=85～160(B)、120～200(C)、160～300(D)。与TO-92形式封装的SS8550相对应的表贴器件型号为S8550LT1，其封装形式为SOT-23。SS8550为目前市场上较为常见、易购的三极管，价格也比较便宜，单只售价仅0.3元左右。KSP44为TO-92形式封装的NPN型三极管。其引脚电极的识别方法是，当面向三极管的印字标识面时，其引脚1为发射极E、2为基极B、3为集电极C。KSP44的主要参数指标为：BVCBO=500V，BVCEO=400V，VCE(S)=0.5V，VBE(ON)=0.75V，ICM=300mA，PCM=0.625W，TJ=150℃，hFE=40～200。多晶硅生产流程（1）石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅，其化学反应SiO2+C→Si+CO2↑（2）为了满足高纯度的需要，必须进一步提纯。把工业硅粉碎并用无水***（HCl）与之反应在一个流化床反应器中，采购收购电池片硅片回收采购收购，生成拟溶解的（SiHCl3）。其化学反应Si+HCl→SiHCl3+H2↑反应温度为300度，该反应是放热的。同时形成气态混合物（Н2，НС1，太阳能光伏电池片硅片采购收购，SiНС13，SiC14，Si）。（3）第二步骤中产生的气态混合物还需要进一步提纯，需要分解：过滤硅粉，冷凝SiНС13，SiC14，而气态Н2，НС1返回到反应中或排放到大气中。然后分解冷凝物SiНС13，SiC14，净化（多级精馏）。（4）净化后的采用高温还原工艺，以高纯的SiHCl3在H2气氛中还原沉积而生成多晶硅。其化学反应SiHCl3+H2→Si+HCl。多晶硅的反应容器为密封的，用电加热硅池硅棒（直径5-10毫米，长度1.5-2米，数量80根），在1050-1100度在棒上生长多晶硅，直径可达到150-200毫米。这样大约三分之一的发生反应，并生成多晶硅。剩余部分同Н2，НС1，延边电池片硅片回收，SiНС13，回收电池片硅片回收采购收购，SiC14从反应容器中分离。这些混合物进行低温分离，或再利用，或返回到整个反应中。气态混合物的分离是复杂的、耗能量大的，从某种程度上决定了多晶硅的成本和该工艺的竞争力。振鑫焱回收公司-太阳能光伏电池片硅片采购收购由苏州振鑫焱光伏科技有限公司提供。行路致远，砥砺前行。苏州振鑫焱光伏科技有限公司致力成为与您共赢、共生、共同前行的战略伙伴，更矢志成为太阳能及再生能源具有竞争力的企业，与您一起飞跃，共同成功!)