企业视频展播，请点击播放视频作者：苏州振鑫焱光伏科技有限公司正弦波逆变器：输出的是与日常使用电网一样的正弦波交流电，提供高质量的交流电，能够带动任何种类的负载，但技术要求和成本均高。方波逆变器：输出的是质量较差的方波交流电，对负载和逆变器本身会造成剧烈的不稳定影响。制作采用简易的多谐振荡器，其技术属于50年代的水平，将逐渐退出市场。准正弦波逆变器（属于方波范畴）：输出波形从正向大值到负向大值之间有一个时间间隔，波形由折线组成，连续性不好，但可满足我们大部分的用电需求，噪音小，售价适中，因而成为市场中的主品。有源逆变器：使电流电路中的电流，在交流侧与电网连接而不直接接入负载的逆变器无源逆变器：使电流电路中的电流，在交流侧不与电网连接而直接接入负载(即把直流电逆变为某一频率或可调频率的交流电供给负载)的逆变器。多晶硅生产流程（1）石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅，其化学反应SiO2+C→Si+CO2↑（2）为了满足高纯度的需要，必须进一步提纯。把工业硅粉碎并用无水***（HCl）与之反应在一个流化床反应器中，生成拟溶解的（SiHCl3）。其化学反应Si+HCl→SiHCl3+H2↑反应温度为300度，该反应是放热的。同时形成气态混合物（Н2，НС1，SiНС13，SiC14，Si）。（3）第二步骤中产生的气态混合物还需要进一步提纯，需要分解：过滤硅粉，冷凝SiНС13，SiC14，而气态Н2，НС1返回到反应中或排放到大气中。然后分解冷凝物SiНС13，SiC14，净化（多级精馏）。（4）净化后的采用高温还原工艺，以高纯的SiHCl3在H2气氛中还原沉积而生成多晶硅。其化学反应SiHCl3+H2→Si+HCl。多晶硅的反应容器为密封的，用电加热硅池硅棒（直径5-10毫米，长度1.5-2米，数量80根），在1050-1100度在棒上生长多晶硅，直径可达到150-200毫米。这样大约三分之一的发生反应，并生成多晶硅。剩余部分同Н2，НС1，回收电池片硅片多少钱，SiНС13，SiC14从反应容器中分离。这些混合物进行低温分离，或再利用，或返回到整个反应中。气态混合物的分离是复杂的、耗能量大的，从某种程度上决定了多晶硅的成本和该工艺的竞争力。车载逆变器产品的主要元器件参数及代换IRFZ48N为TO-220形式封装的N沟道增强型MOS快速功率开关管。其引脚电极排序1为栅极G、2为漏极D、3为源极S。IRFZ48N的主要参数指标为：VDss=55V，ID=66A，Ptot=140W，TJ=175℃，***(ON)≤16mΩ。当IRFZ48N损坏无法买到时，可用封装形式和引脚电极排序完全相同的N沟道增强型MOS开关管IRF3205进行代换。IRF3205的主要参数为VDss=55V，ID=110A，***(ON)≤8mΩ。其市场售价仅为每只3元左右。IRF740A为TO-220形式封装的N沟道增强型MOS快速功率开关管。其引脚电极排序1为栅极G、2为漏极D、3为源极S。IRF740A的主要参数指标为：VDSS=400V，ID=10A，Ptot=120W，***(ON)≤550mΩ。当IRF740A损坏无法买到时，可用封装形式和引脚电极排序完全相同的N沟道增强型MOS开关管IRF740B、IRF740或IRF730进行代换。IRF740、IRF740B的主要参数与IRF740A完全相同。IRF730的主要参数为VDSS=400V，ID=5.5A，***(ON)≤1Ω。其中IRF730的参数虽然与IRF740系列的相比略差，但对于150W以下功率的逆变器来说，其参数指标已经是绰绰有余了。)