用刻蚀步骤，对暴露在外的材质进行去除，留下晶圆所需要的材质和附着在其上的光刻胶，然后再将光刻胶通过刻蚀去除。此后多次重复上述步骤，得到构造复杂的集成电路。刻蚀的材质包括硅及硅化物、氧化硅、氮化硅、金属及合金、光刻胶等。通过有针对性的对特定材质进行刻蚀，才能使得晶圆制造不同的步骤所制造的电路之间相互影响，金属腐蚀清洗，使芯片产品具有良好的性能。目前在半导体清洗机湿式清洗制程中，主要应用项目包含晶圆清洗与湿式蚀刻两项，晶圆(湿式)清洗制程主要是希望藉由化学***与清洗设备，清除来自周遭环境所附着在晶圆表面的脏污，以达到半导体组件电气特性的要求与可靠度。至于脏污的来源，不外乎设备本身材料产生、现场作业员或制程工程师***自身与动作的影响、化学材料或制程药剂残留或不纯度的发生，以及制程反应产生物的结果，尤其是制程反应产生物一项，更成为制程污染主要来源，因此如何改善制程中所产生污染，金属腐蚀，便成为清洗制程中研究主要的课题。过去RCA多槽湿式清洗一直是晶圆清洗的主要技术，不过随着近年来制程与清洗设备的演进，不但在清洗制程中不断产生新的技术，也随着半导体后段封装技术的演进，清洗设备也逐渐进入封装厂的生产线中。以下本文即针对清洗设备与技术作一深入介绍，并分析清洗设备发展的关键机会及未来的发展趋势。注意事项1·当操作高压清洗机时：始终需戴适当的护目镜，手套和面具。2·始终让保持手和脚不接触清洗喷嘴。3·经常要检查所有的电接头。4·经常检查所有的液体。5·经常检查软管是否有裂缝和泄漏处。6·当未使用时，金属腐蚀台，总是需将设置处于安全锁定状态。7·总是尽可能地使用*低压力来工作，但这个压力要能足以完成工作。8·在断开软管连接之前，总是要先释放掉清洗机里的压力。9·每次使用后总是要排干净软管里的水。10·决不要将设备对着自己或其他人。11·在检查所有软管接头都已在原位锁定之前，决不要启动设备。12·在接通供应水并让适当的水流过之前，决不要启动设备。然后将所需要的清洗喷嘴连接到喷杆上。注意：不要让高压清洗机在运转过程中处于无人监管的状态。每次当你释放时泵将运转在旁路模式下，金属腐蚀机，如果一个泵已经在旁路模式下运转了较长时间后，泵里循环水的过高温度将缩短泵的使用寿命甚至损坏泵。所以，应避免使设备长时间运行在旁路模式。)