MB85RC16V中使用的存储单元每字节至少具有1012次读/写操作耐久性，与其他非易失性存储产品支持的读和写操作数量相比，这是一个显着的改进。MB85RC16V可以提供以1字节为单位的写入，因为不像Flash存储器和E2PROM需要很长的写入时间。因此不需要像写忙状态那样的写完成等待序列。MB85RS1MT富士通FUJITSU芯片■特点位配置：2,048字×8位两线串行接口：完全由两个端口控制：串行时钟（SCL）和串行数据（SDA）。工作频率：1MHz（）读/写耐久性：10次/字节数据保留：10年(+85℃)、95年(+55℃)、超过200年(+35℃)工作电源电压：3.0V至5.5V低功耗：工作电源电流90μA(Typ@1MHz)待机电流5μA(Typ)工作环境温度范围：40℃至+85℃封装：8针塑料SOP(FPT-8P-M02)符合RoHS